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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0008173 (2006-01-26) |
공개번호 | 10-2007-0078175 (2007-07-31) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060008173 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 낸드 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 셀 블록과 셀 블록 사이의 픽업 영역에 액티브 더미 패턴과 필드 더미 패턴들을 규칙적으로 형성함으로써, 노광 장비의 특성으로 인해 셀 블록의 마지막 패턴이 붕괴(collapse) 되거나 브리지(bridge)가 발생되는 OPC(Optical Proximity Correction) 에러와 노광 장비의 렌즈에 발생하는 스크레치의 영향으로 초점심도(Depth of Focus; DOF) 마진이 부족하여 노광 공정시 패턴 왜곡이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 식각 공정시
반도체 기판상의 액티브 영역 및 필드 영역과 직교하여 일정한 거리로 이격되도록 형성된 복수의 게이트 라인 및 상기 복수의 게이트 라인 양측 바깥쪽에 형성된 소오스 선택 라인 및 드레인 선택 라인을 포함하는 셀 블록들;상기 셀 블록과 셀 블록 사이의 소정 영역에 형성된 웰 픽업; 및상기 웰 픽업이 형성되는 영역을 제외한 상기 셀 블록과 셀 블록 사이에 규칙적으로 형성되는 더미 패턴을 포함하는 낸드 플래쉬 메모리 소자.
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