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연합인증

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[한국특허] OPC 방법, 및 그 OPC 방법을 이용한 마스크 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G03F-001/36
  • G03F-007/20
출원번호 10-2017-0174360 (2017-12-18)
공개번호 10-2019-0073064 (2019-06-26)
등록번호 10-2525162-0000 (2023-04-19)
DOI http://doi.org/10.8080/1020170174360
발명자 / 주소
  • 최다운 / 경기도 용인시 기흥구 신촌로**번길 *-**, ***호(보정동)
  • 김유경 / 경기도 수원시 권선구 덕영대로****번길 **-**, ***동 ****호(권선동, 대림아파트)
  • 송윤경 / 경기도 화성시 동탄중앙로 ***, ***동 ****호(반송동, 동탄시범다은마을 월드메르디앙반도유보라)
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
대리인 / 주소
  • 리앤목특허법인
심사청구여부 있음 (2020-11-03)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명의 기술적 사상은 코너 라운딩(corner rounding) 현상을 효과적으로 제어할 수 있는 OPC 방법, 및 그 OPC 방법을 이용한 마스크 제조방법을 제공한다. 그 OPC 방법은 레이아웃의 분해를 통해 내부-에지를 생성하고, 그러한 내부-에지를 기반으로 하여, 내부 프래그먼트의 이동량인 DISin_frag와 선택 프래그먼트의 이동량인 DISsel을 계산하여 프래그먼트를 추가적으로 이동시킴으로써, MRC를 위배하지 않으면서도 코너 라운딩 현상을 최소화한 마스크 레이아웃을 구현할 수 있도록 한다.

대표청구항

타겟 패턴에 대한 레이아웃의 에지를 프래그먼트(fragment)로 나누는 단계;OPC(Optical Proximity Correction) 모델에 상기 프래그먼트를 포함한 마스크 데이터를 입력하여 시뮬레이션을 통해 상기 타겟 패턴의 컨투어(contour)를 추출하는 단계;상기 컨투어와 상기 타겟 패턴의 에지 간의 차이인 EPE(Edge Placement Error)를 상기 프래그먼트 별로 계산하는 단계; 및상기 타겟 패턴의 컨투어를 추출하는 단계의 재수행 여부를 판단하는 단계;를 포함하고,상기 타겟 패턴의 컨투어를 추출하는 단계를

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [미국] Optical Proximity Correction For Directed-Self-Assembly Guiding Patterns | Lei, Junjiang, Hong, Le, Ma, Yuansheng
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