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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0031465 (2006-04-06) |
등록번호 | 10-0605289-0000 (2006-07-20) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060031465 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-04-06) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명에 따른 이산화바나듐 막의 제조방법은, 기판상에 이산화바나듐 막을 형성하기 위한 방법에 있어서, 오산화이바나듐 분말을 마련하는 분말준비단계; 상기 오산화이바나듐 분말을 점성을 가지도록 하기 위해 유기용제와 혼합하여 페이스트 상태로 만드는 페이스트 제조단계; 상기 기판상에 상기 페이스트를 스크린 인쇄 하여 오산화이바나듐 막을 제조하는 막제조 단계; 상기 오산화이바나듐 막이 코팅된 기판을 질소가 충진된 질소분위기의 열처리로에서 열처리하여 상기 페이스트 상태를 만들기 위해 혼합하였던 유기용제를 태워서 제거하는 하소단계; 및 상기
기판상에 이산화바나듐 막을 형성하기 위한 방법에 있어서,오산화이바나듐 분말을 마련하는 분말준비단계;상기 오산화이바나듐 분말을 점성을 가지도록 하기 위해 유기용제와 혼합하여 페이스트 상태로 만드는 페이스트 제조단계;상기 기판상에 상기 페이스트를 스크린 인쇄 하여 오산화이바나듐 막을 제조하는 막제조 단계;상기 오산화이바나듐 막이 코팅된 기판을 가열하여 상기 페이스트 상태를 만들기 위해 혼합하였던 유기용제를 질소가 충진된 질소 분위기의 열처리로에서 태워서 제거하는 하소단계; 및상기 하소단계를 거친 오산화이바나듐막을 질소가 충진된 질소분위
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