초록

제조 공정을 간단하게 하면서 다수의 얼라인먼트 마스크를 사용하지 않고 위치 맞춤 정밀도를 향상할 수 있는 박막 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 얼라인먼트 패턴은 포토마스크로써 하프톤 노광 영역을 갖는 하프톤 마스크를 사용하여 생성된 다수의 패턴 각각에 대응하는 상이한 막두께를 각각 갖는 다수의 영역을 구비하는 레지스트층을 사용하고 개구 패턴이 되도록 광 투과부를 형성하고 하부 실리콘층을 에칭함으로써 형성된다. 하부 실리콘층을 노광시키고 전체 레지스트층으로 이온을 주입함으로써, 메인 패턴부만이 이온으로 도핑된다.

대표청구항 ▼

기판 표면 상에 형성되는 하부 실리콘층의 표면 상에 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 있어서,포토레지스트를 피복하여 레지스트층을 형성하는 공정과,상기 레지스트층에 패턴을 형성하기 위한 포토마스크에 얼라인먼트 패턴부, 상기 얼라인먼트 패턴부의 형성 이후의 후속 공정 처리용 메인 패턴부 및 이들 이외의 부분으로서 투과 마스크 영역, 하프톤 노광 영역 및 차광 마스크 영역 각각을 형성하는 공정과,형성된 레지스트층에 상기 포토마스크를 사용하여 노광 및 현상하여 복수종류의 막 두께 영역을 생성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트

기판 표면 상에 형성되는 하부 실리콘층의 표면 상에 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 있어서,포토레지스트를 피복하여 레지스트층을 형성하는 공정과,상기 레지스트층에 패턴을 형성하기 위한 포토마스크에 얼라인먼트 패턴부, 상기 얼라인먼트 패턴부의 형성 이후의 후속 공정 처리용 메인 패턴부 및 이들 이외의 부분으로서 투과 마스크 영역, 하프톤 노광 영역 및 차광 마스크 영역 각각을 형성하는 공정과,형성된 레지스트층에 상기 포토마스크를 사용하여 노광 및 현상하여 복수종류의 막 두께 영역을 생성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성 방법.