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알루미늄 금속판의 에칭방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/304
  • H01L-021/3063
출원번호 10-2006-0044647 (2006-05-18)
공개번호 10-2007-0111622 (2007-11-22)
등록번호 10-0781079-0000 (2007-11-26)
DOI http://doi.org/10.8080/1020060044647
발명자 / 주소
  • 황병헌 / 경기 안산시 상록구 본오동 신안아파트 ***-****호
  • 고상근 / 경기도 안산시 단원구 고잔동 ***-* 동남레이크빌* ***호
출원인 / 주소
  • (주)이씨테크 / 경기 시흥시 정왕동 ****-* 시화유통 **-***
  • 고상근 / 경기도 안산시 단원구 고잔동 ***-* 동남레이크빌* ***호
  • (주)디피에이치 / 서울 강남구 삼성동 ***-** 우경빌딩 *층
대리인 / 주소
  • 이철희 (Lee, Cheol Hee)
  • 서울 강남구 삼성동 ***-** 우경빌딩 ***호(가디언국제특허법률사무소)
심사청구여부 있음 (2006-05-18)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 IT 관련 제품의 제조 공정중 알루미늄 금속판의 에칭 방법에 관한 것으로, 알칼리용액(NaOH)으로 산화 알루미늄( Al₂O₃)을 에칭하는 단계; 산성용액(HCl)으로 알루미늄(Al)을 에칭하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 알루미늄 금속판의 에칭 방법은 종래의 산 또는 알칼리를 이용한 1단계 에칭 공정에 비해 선폭 감소로 인한 배선의 단락을 방지하고 미세회로의 에칭이 가능한 장점이 있다.

대표청구항

IT 관련 제품의 제조 공정중 알루미늄 금속판의 에칭 방법에 있어서,알칼리 용액으로 알루미늄 금속판 위의 산화 알루미늄을 에칭하는 제1 에칭 단계;상기 제1 에칭 단계에서 생성되는 이물질과 잔존하는 알칼리 용액을 제거하기 위한 제1 세정 단계;산성 용액으로 알루미늄 금속판의 알루미늄을 에칭하는 제2 에칭 단계; 및상기 제2 에칭 단계에서 생성되는 이물질과 잔존하는 산성 용액을 제거하기 위한 제2 세정 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 금속판의 에칭 방법

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 나노토포그라피를 향상시키는 웨이퍼 제조방법 | 강희명

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 전지용 동박 제조 장치 및 그 제조 방법 | 박범환
  2. [한국] 알에프아이디 태그 안테나 제조에 있어서의 회로형성을 위한 알루미늄박 에칭공정 | 정진기
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