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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0057458 (2006-06-26) |
공개번호 | 10-2008-0000125 (2008-01-02) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060057458 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 EUV 마스크 제조 방법에 관한 것으로, 흡수층을 반사층 패턴 사이에 형성함으로써, 패턴 사이즈가 감소되고, 흡수층의 두께가 증가함에 따라 발생할 수 있는 패턴 쓰러짐(Pattern Collapse) 현상을 방지하는 기술을 개시한다.
(A) 투명 기판 상부에 다층 구조의 반사층 및 소정의 마스크 패턴을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계;(B) 상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 상기 반사층을 식각하는 단계;(C) 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 및(D) 상기 구조물 상부에 흡수층을 형성한 후 상기 반사층이 노출될때까지 평탄화 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크 제조 방법.
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