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극자외선 리소그래피 장치용 반사형 마스크 및 그 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G03F-001/24
출원번호 10-2014-0181613 (2014-12-16)
공개번호 10-2016-0047369 (2016-05-02)
등록번호 10-2246876-0000 (2021-04-26)
우선권정보 미국(US) 62/066,978 (2014-10-22)
DOI http://doi.org/10.8080/1020140181613
발명자 / 주소
  • 김성수 / 서울특별시 강남구 도곡로 ***, *동 ***호 (도곡동)
  • 서환석 / 경기도 수원시 영통구 매영로 ***, ***동 ****호 (영통동, 신나무실 건영아파트)
  • 김인성 / 경기도 성남시 분당구 동판교로 ***, ***동 ****호 (백현동, 백현마을*단지아파트)
  • 김태근 / 경기도 화성시 동탄반석로 **, ***동 ****호 (반송동, 한화우림아파트)
출원인 / 주소
  • 삼성전자 주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
대리인 / 주소
  • 리앤목특허법인
심사청구여부 있음 (2019-06-21)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

본 발명의 반사형 마스크는 마스크 기판과, 상기 마스크 기판 상에 형성된 다중 반사층과, 상기 다중 반사층에 제공된 메인 트랜치(main trench)와, 상기 메인 트랜치 내에 서로 떨어져 형성된 복수개의 지지 패턴들을 포함하고, 상기 지지 패턴들의 폭은 노광 대상 기판으로 전사되지 않게 구성한다. 더하여, 반사형 마스크는 상기 메인 트랜치 내에 상기 지지 패턴들에 의하여 구획된 복수개의 보조 트랜치들과, 상기 보조 트랜치들 내에 형성된 복수개의 보조 광흡수 패턴들을 포함하여 광흡수 패턴을 구성하되, 상기 보조 광흡수 패턴들은 상

대표청구항

마스크 기판;상기 마스크 기판 상에 형성된 다중 반사층;상기 다중 반사층에 제공된 메인 트랜치(main trench);상기 메인 트랜치 내에 서로 떨어져 형성된 복수개의 지지 패턴들을 포함하고, 상기 지지 패턴들의 폭은 노광 대상 기판으로 전사되지 않게 구성하고;상기 메인 트랜치 내에 상기 지지 패턴들에 의하여 구획된 복수개의 보조 트랜치들; 및 상기 보조 트랜치들 내에 형성된 복수개의 보조 광흡수 패턴들을 포함하여 광흡수 패턴을 구성하되,상기 보조 광흡수 패턴들은 상기 보조 트랜치들 내부에 매립되어 있는 것을 특징으로 하는 반사형

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [한국] 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법 | 정구민
  2. [일본] REFLECTIVE MASK AND PROCESS OF MANUFACTURING THE SAME | KAGAWA TAKESHI
  3. [일본] REFLECTIVE PHASE SHIFT MASK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | TANABE MASATO

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 극자외선 리소그래피용 블랭크마스크, 포토마스크 및 이의 제조 방법 | 남기수, 양철규, 정상민
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