초록 ▼

본 발명은 에칭 폐액을 확산 투석법 및 용매 추출법을 사용하여 정제함으로써 불순물인 금속 이온과 초산, 질산을 효과적으로 제거하여 고순도의 인산을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 상기한 목적을 달성하기 위한 기술구성은, (a) 초산, 질산, 인산과 알루미늄이 함유된 원폐산으로부터 음이온교환막을 이용한 확산 투석을 30 ~ 60℃의 온도 범위에서 상기 음이온교환막의 단위 면적당 원폐산과 물의 유량비를 43㎖/hr·㎡ ~ 523㎖/hr·㎡ 대 130 ~ 654㎖/hr·㎡로 수행하여 알루미늄만을 분리 제거하는 단계; (b) 상기 확

본 발명은 에칭 폐액을 확산 투석법 및 용매 추출법을 사용하여 정제함으로써 불순물인 금속 이온과 초산, 질산을 효과적으로 제거하여 고순도의 인산을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 상기한 목적을 달성하기 위한 기술구성은, (a) 초산, 질산, 인산과 알루미늄이 함유된 원폐산으로부터 음이온교환막을 이용한 확산 투석을 30 ~ 60℃의 온도 범위에서 상기 음이온교환막의 단위 면적당 원폐산과 물의 유량비를 43㎖/hr·㎡ ~ 523㎖/hr·㎡ 대 130 ~ 654㎖/hr·㎡로 수행하여 알루미늄만을 분리 제거하는 단계; (b) 상기 확산 투석 단계를 통해 회수한 초산, 질산, 인산이 함유된 회수폐산으로부터 알킬포스포닉산(Alkyl-phosphonic acids), 알킬포스피닉산(Alkyl-phosphinic acids), 알킬포스핀 옥사이드(Alkyl-phosphine oxides) 중에서 선택된 하나의 유기 용매를 사용하여 초산, 질산을 추출 제거하는 단계로 구성된다.

대표청구항 ▼

(A) 초산, 질산, 인산과 알루미늄이 함유된 원폐산으로부터 음이온교환막을 이용한 확산 투석을 30 ~ 60℃의 온도 범위에서 상기 음이온교환막의 단위 면적당 원폐산과 물의 유량비를 43㎖/HR·㎡ ~ 523㎖/HR·㎡ 대 130 ~ 654㎖/HR·㎡로 수행하여 알루미늄만을 분리 제거하는 단계;(B) 상기 확산 투석 단계를 통해 회수한 초산, 질산, 인산이 함유된 회수폐산으로부터 알킬포스포닉산(ALKYL-PHOSPHONIC ACIDS), 알킬포스피닉산(ALKYL-PHOSPHINIC ACIDS), 알킬포스핀 옥사이드(ALKYL-PHO

(A) 초산, 질산, 인산과 알루미늄이 함유된 원폐산으로부터 음이온교환막을 이용한 확산 투석을 30 ~ 60℃의 온도 범위에서 상기 음이온교환막의 단위 면적당 원폐산과 물의 유량비를 43㎖/HR·㎡ ~ 523㎖/HR·㎡ 대 130 ~ 654㎖/HR·㎡로 수행하여 알루미늄만을 분리 제거하는 단계;(B) 상기 확산 투석 단계를 통해 회수한 초산, 질산, 인산이 함유된 회수폐산으로부터 알킬포스포닉산(ALKYL-PHOSPHONIC ACIDS), 알킬포스피닉산(ALKYL-PHOSPHINIC ACIDS), 알킬포스핀 옥사이드(ALKYL-PHOSPHINE OXIDES) 중에서 선택된 하나의 유기 용매를 사용하여 초산, 질산을 추출 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 폐산액으로부터 고순도의 인산을 제조하는 방법.