초록 ▼

본 발명은 가교된 고분자 비드를 출발물질로 하여 마이크로에서 밀리미터에 이르는 크기 수준의 구형 탄소캡슐을 제조하는 방법에 관한 것이다. 특히 본 발명에서는 캡슐형태를 만들기 위해 템플레이트와 중간 매개체를 사용하지 않으면서도, 고분자 비드의 표면처리 및 2단계의 탄화과정을 통해 캡슐형태의 구형 탄소구조체를 제조하는 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 구형의 마이크로 탄소캡슐은 기존의 분말형태나 과립상의 활성탄에 비해 분진발생이 적고, 취급이 용이하며 통기성이 우수하고 또한 캡슐구조의 특성을 이용하여 촉매, 탈착제, 흡착제, 저장

본 발명은 가교된 고분자 비드를 출발물질로 하여 마이크로에서 밀리미터에 이르는 크기 수준의 구형 탄소캡슐을 제조하는 방법에 관한 것이다. 특히 본 발명에서는 캡슐형태를 만들기 위해 템플레이트와 중간 매개체를 사용하지 않으면서도, 고분자 비드의 표면처리 및 2단계의 탄화과정을 통해 캡슐형태의 구형 탄소구조체를 제조하는 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 구형의 마이크로 탄소캡슐은 기존의 분말형태나 과립상의 활성탄에 비해 분진발생이 적고, 취급이 용이하며 통기성이 우수하고 또한 캡슐구조의 특성을 이용하여 촉매, 탈착제, 흡착제, 저장제, 분리제 등 다양한 용도에 폭넓게 응용될 수 있다.

대표청구항 ▼

(A) 100 ㎛∼4 MM의 가교된 고분자 비드를 산성용액에서 열처리하거나 또는 경화제로 처리하여 고분자 비드의 외피 부분의 경화도 또는 가교도를 내부의 중심부분 보다 강화시켜 이중 구조의 고분자 비드를 만드는 표면처리 단계; (B) 상기 표면처리된 고분자 비드를 불활성가스 분위기에서 온도를 300∼500℃까지 승온시킨 후 5∼10시간 유지시켜 고분자 비드에 존재하는 수분을 제거하는 동시에 내부의 중심부분을 선택적으로 탄화시키는 제1차 탄화 단계; 및 (C) 상기 제1차 탄화에 이어 불활성가스 분위기에서 온도를 800∼1,000℃

(A) 100 ㎛∼4 MM의 가교된 고분자 비드를 산성용액에서 열처리하거나 또는 경화제로 처리하여 고분자 비드의 외피 부분의 경화도 또는 가교도를 내부의 중심부분 보다 강화시켜 이중 구조의 고분자 비드를 만드는 표면처리 단계; (B) 상기 표면처리된 고분자 비드를 불활성가스 분위기에서 온도를 300∼500℃까지 승온시킨 후 5∼10시간 유지시켜 고분자 비드에 존재하는 수분을 제거하는 동시에 내부의 중심부분을 선택적으로 탄화시키는 제1차 탄화 단계; 및 (C) 상기 제1차 탄화에 이어 불활성가스 분위기에서 온도를 800∼1,000℃까지 승온시킨 후 5∼10시간 유지시켜 고분자 비드의 외피 부분을 탄화시키는 제2차 탄화 단계;를 거쳐 최종적으로 50∼3,000 ㎛ 크기의 캡슐형태의 구형 탄소 구조체를 얻는 것을 특징으로 하는 탄소캡슐의 제조방법.