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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0083179 (2006-08-30) |
등록번호 | 10-0810426-0000 (2008-02-27) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060083179 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-08-30) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명에서는 누설전류 측정방법 및 장치에 관해 개시된다.본 발명에 따른 누설 전류 측정장치는 일단이 반도체 소자의 일단에 연결될 수 있도록 형성된 커패시터; 드레인 노드와, 상기 반도체 소자의 일단에 연결될 수 있도록 형성된 게이트 노드와, 상기 반도체 소자의 타단에 연결될 수 있도록 형성되어 전원이 인가되는 소스 노드 및 벌크 노드가 포함되는 MOSFET 트랜지스터가 포함되어 구성되는 것을 특징으로 한다.
누설 전류 측정 대상인 반도체 소자의 일단에 연결된 커패시터; 및상기 커패시터와 공통으로 상기 반도체 소자의 일단에 연결된 게이트 노드와, 상기 반도체 소자의 타단에 연결되고 전원이 인가되는 소스 노드와, 상기 소스 노드와 연결된 벌크 노드와, 상기 게이트 노드를 기준으로 상기 소스 노드와 대향되어 배치되는 드레인 노드가 포함되는 MOSFET 트랜지스터;가 포함되는 누설 전류 측정장치.
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