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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0084396 (2006-09-01) |
등록번호 | 10-0718065-0000 (2007-05-08) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060084396 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-09-01) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
산화피막 형성방법이 개시된다. (a) 제1 금속층에 상기 제1 금속층보다 이온화 경향이 낮은 제2 금속층을 적층하는 단계, (b) 제2 금속층에 천공홀이 형성된 마스크를 적층하는 단계, (c) 천공홀 내부에 노출된 제2 금속층을 제거하는 단계, 및 (d) 천공홀 내부에 노출된 제1 금속층을 양극 산화처리하는 단계를 포함하는 산화피막 형성방법은 제1 금속층에 산화피막을 형성할 시에 산화피막의 응력을 제2 금속층이 지지하여 미세 패턴의 산화피막을 형성할 수 있다.
(A) 제1 금속층에 상기 제1 금속층보다 이온화 경향이 낮은 제2 금속층을 적층하는 단계: (B) 상기 제2 금속층에 천공홀이 형성된 마스크를 적층하는 단계;(C) 상기 천공홀 내부에 노출된 상기 제2 금속층을 제거하는 단계; 및(D) 상기 천공홀 내부에 노출된 제1 금속층을 양극 산화처리하는 단계를 포함하는 산화피막 형성방법.
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