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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2006-0117447 (2006-11-27) |
공개번호 | 10-2007-0112695 (2007-11-27) |
등록번호 | 10-0841378-0000 (2008-06-19) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020060117447 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2006-11-27) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
최대 드레인 전류의 증대에 유효한 매립 게이트 구조를 채용하면서 고내압화하고, 고출력인 전계 효과형 트랜지스터를 제공한다. 전계 효과형 트랜지스터는, 반절연성 기판 위에, 알루미늄을 포함하지 않는 3-5족 화합물 반도체로 형성된 채널층과, 그 위에 도핑 농도가 1×1016cm-3이하로 알루미늄을 포함하고 밴드간 에너지가 큰 3-5족 화합물 반도체로 형성된 게이트 콘택층과, 그 위에 도핑 농도가 1×1016cm-3이하이고 알루미늄을 포함하지 않는 3-5족 화합물 반도체로 형성된 게이트 매립층, 그 게이트 매립층에 매립되고, 게이트
반절연성 기판 위에, 알루미늄을 포함하지 않는 3-5족 화합물 반도체를 포함하는 에피텍셜층으로 형성된 채널층과, 상기 채널층 위에 알루미늄을 포함하고 밴드간 에너지가 큰 3-5족 화합물 반도체를 포함하고 도핑 농도가 1×1016CM-3이하인 에피텍셜층으로 형성된 게이트 콘택층과, 상기 게이트 콘택층 위에 알루미늄을 포함하지 않는 3-5족 화합물 반도체를 포함하고 도핑 농도가 1×1016CM-3이하인 에피텍셜층으로 형성된 게이트 매립층, 상기 게이트 매립층에 매립되고, 상기 게이트 콘택층과 접합하고 있는 게이트 전극을 가지는 전계 효
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