다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC9판) |
|
| 출원번호 | 10-2007-0111386 (2007-11-02) |
| 공개번호 | 10-2009-0045522 (2009-05-08) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020070111386 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
|
| 대리인 / 주소 |
|
| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
| 법적상태 | 취하 |
본 발명은 이차이온질량분석기에서 왜곡없이 저농도영역을 분석할 수 있는 이차이온질량분석기 분석방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 저농도영역과 고농도영역이 적층된 샘플과 순수 실리콘으로 이루어진 실리콘막을 준비하는 단계; 상기 샘플의 고농도영역에 이온빔을 충돌시켜 불순물의 농도를 측정하는 단계; 상기 실리콘 막에 이온빔을 충돌시켜 상기 불순물이 흡착된 렌즈 스트립을 실리콘이온으로 덮는 단계; 상기 샘플의 저농도영역에 이온빔을 충돌시켜 불순물의 농도를 측정하는 단계하고, 고농도영역 분석 후 저농도영역 분석 전에 기억효과를 제거함으로
저농도영역과 고농도영역이 적층된 샘플과 순수 실리콘으로 이루어진 실리콘막을 준비하는 단계;상기 샘플의 고농도영역에 이온빔을 충돌시켜 불순물의 농도를 측정하는 단계;상기 실리콘 막에 이온빔을 충돌시켜 상기 불순물이 흡착된 렌즈 스트립을 실리콘이온으로 덮는 단계; 및상기 샘플의 저농도영역에 이온빔을 충돌시켜 불순물의 농도를 측정하는 단계를 포함하는 이차이온질량분석기 분석방법.제1항에 있어서,상기 고농도영역은 불순물이 도핑된 폴리실리콘막이고, 상기 저농도영역은 기판인 이차이온질량분석기 분석방법.제2항에 있어서,상기 고농도영역은 P형 불순
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.