최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC9판) |
|
출원번호 | 10-2007-7008727 (2007-04-17) |
공개번호 | 10-2007-0083707 (2007-08-24) |
등록번호 | 10-1219950-0000 (2013-01-02) |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2004-00280053 (2004-09-27) |
국제출원번호 | PCT/JP2005/017466 (2005-09-22) |
국제공개번호 | WO 2006/035663 (2006-04-06) |
번역문제출일자 | 2007-04-17 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020077008727 |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (2010-09-20) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 결정질 실리콘을 내재하는 SiOx 입자의 제조 방법, 상기 제법에 의해 얻어진 SiOx 분말, 성형체, 추가로 상기 성형체로부터 얻어지는 반도체 소자, 발광 소자에 관한 것이다.본 발명은 입자 직경 0.5~5 ㎚의 비정질 실리콘 입자를 내재하는 SiOx(X는 0.5 이상 2.0 미만) 입자에 광, 바람직하게는 레이저광을 조사하여 입자 직경 1~10 ㎚의 결정질 실리콘 입자를 내재하는 SiOx(X는 O.5 이상 2.0 미만) 입자로 하는 것을 특징으로 하는 SiOx 입자의 제조 방법에 의해 반도체 소자로서 이용 가능한 나노
입자 직경 0.3~0.8 ㎚의 비정질 실리콘 입자를 내재하는 SiOx(X는 0.5 이상 2.0 미만) 입자에 광을 조사하여 입자 직경 1~10 ㎚의 결정질 실리콘 입자를 내재하는 SiOx(X는 0.5 이상 2.0 미만) 입자로 하는 것을 특징으로 하는 SiOx 입자의 제조 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.