초록 ▼

본 발명은 냉각제로 냉각되는 2개 이상의 반응 대역, 및 반응 대역 사이에 배열되어 반응 대역 사이에서 반응 혼합물을 중간 냉각시키기 위해 사용되는 하나 또는 여러 장치를 포함하는 설비에서, o-크실롤 및/또는 나프탈린을 산소 포함 가스를 사용하여 촉매적으로 부분 산화시킴으로써 프탈산 무수물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 제2 또는 추가 반응 대역으로 도입될 때의 냉각제의 온도는 제1 반응 대역으로 도입될 때의 냉각제의 온도보다 낮으며, 제1 반응 대역으로 도입될 때의 냉각제의 온도가 제2 또는 추가 반응 대역으로 도입될 때의

본 발명은 냉각제로 냉각되는 2개 이상의 반응 대역, 및 반응 대역 사이에 배열되어 반응 대역 사이에서 반응 혼합물을 중간 냉각시키기 위해 사용되는 하나 또는 여러 장치를 포함하는 설비에서, o-크실롤 및/또는 나프탈린을 산소 포함 가스를 사용하여 촉매적으로 부분 산화시킴으로써 프탈산 무수물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 제2 또는 추가 반응 대역으로 도입될 때의 냉각제의 온도는 제1 반응 대역으로 도입될 때의 냉각제의 온도보다 낮으며, 제1 반응 대역으로 도입될 때의 냉각제의 온도가 제2 또는 추가 반응 대역으로 도입될 때의 냉각제의 온도보다 20˚ 이상 높은 것을 특징으로 한다.

대표청구항 ▼

- 냉각제로 냉각되는 2개 이상의 반응 대역, 및- 반응 대역 사이에서 반응 혼합물을 중간 냉각시키기 위해 반응 대역 사이에 배열되어, 제1 반응 대역으로의 입구에서의 냉각제의 온도에 비해 제2 또는 추가 반응 대역으로의 입구에서의 냉각제의 온도를 감소시키는 하나 이상의 장치를 포함하며, 제1 반응 대역으로의 입구에서의 냉각제의 온도가 제2 또는 추가 반응 대역으로의 입구에서의 냉각제의 온도보다 20˚ 이상 높은 플랜트에서,O-크실렌 및/또는 나프탈렌을 산소 포함 가스를 사용하여 촉매적으로 부분 산화시킴으로써 프탈산 무수물을 제조하

- 냉각제로 냉각되는 2개 이상의 반응 대역, 및- 반응 대역 사이에서 반응 혼합물을 중간 냉각시키기 위해 반응 대역 사이에 배열되어, 제1 반응 대역으로의 입구에서의 냉각제의 온도에 비해 제2 또는 추가 반응 대역으로의 입구에서의 냉각제의 온도를 감소시키는 하나 이상의 장치를 포함하며, 제1 반응 대역으로의 입구에서의 냉각제의 온도가 제2 또는 추가 반응 대역으로의 입구에서의 냉각제의 온도보다 20˚ 이상 높은 플랜트에서,O-크실렌 및/또는 나프탈렌을 산소 포함 가스를 사용하여 촉매적으로 부분 산화시킴으로써 프탈산 무수물을 제조하는 방법.제1항에 있어서, 플랜트가 2개의 냉각되는 반응 대역, 특히 냉각되는 주 반응기 및 냉각되는 후속반응기를 갖는 것인 방법.제2항에 있어서, 주 반응기로의 입구에서의 냉각제의 온도가 320 내지 380℃의 범위이고, 후속반응기로의 입구에서의 냉각제의 온도가 250 내지 320℃, 바람직하게는 270 내지 300℃, 더 바람직하게는 280 내지 290℃ 범위인 방법.제2항 또는 제3항에 있어서, 후속반응기가 플랜트에서의 전체 전환율을 기준으로 5 내지 10％, 바람직하게는 15％ 이하, 더 바람직하게는 20％ 이하의 잔류물 전환율에서 작동되는 방법.제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 열이 냉각제의 증발 냉각에 의해 제거되는 방법.제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 2개 이상의 냉각되는 반응 대역 및 반응 가스 혼합물을 중간 냉각시키기 위해 반응 대역 사이에 배열되는 장치(들)가 냉각제가 흐르는 열전판(THERMOPLATE)이 있는 단일 장치에서 결합되는 것인 방법.제6항에 있어서, 장치가 주 반응기, 중간 냉각기 및 후속반응기를 포함하는 것이며, 주 반응기를 위한 제1 냉각 회로 및 중간 냉각기와 후속반응기를 위한 제2의 결합된 냉각 회로가 제공되는 방법.제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 중간 냉각을 위한 장치(들) 내에 불활성 층이 제공되는 방법.제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 냉각되는 반응 대역 중 하나, 하나 이상 또는 전부가 각각 관 다발 장치로서 디자인된 것인 방법.제9항에 있어서, 제1 반응 대역이 관 다발 반응기로서 디자인된 것이며, 제2 반응 대역 또는 추가 반응 대역이 열전판이 있는 장치로서 디자인된 것인 방법.