초록

본 발명은 물과 기체를 통과시키는 다수의 기공들을 포함한 다공질 실리콘 박막에서, 기공 입구 주위에 열변형 구조체를 설치하여 기공을 통과하는 물의 이동을 조절하는 것에 관한 것이다.구체적으로 물과 접촉하는 면에서 친수성 물질로 코팅된 박막 표면으로부터 기공의 주위에 설치되는 열변형 구조체는 표면에서의 온도 변화에 따라 기공의 크기를 조절함으로써 모세관압에 의해 기공을 통과하는 물의 이동량을 조절할 수 있다.

대표청구항 ▼

실리콘 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 바르고, 위에 도면이 그려진 포토마스크를 통해 빛을 투영시켜 도면과 같은 링 형상 패턴을 갖는 패턴의 포토레지스트를 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 형성하는 단계:극반응성 이온 에칭법(DIRE 공정)을 수행하여 링 형상의 구멍을 상기 실리콘 웨이퍼의 두께보다 작은 깊이로 형성한 후 상단의 포토레지스트를 제거하는 단계상기 실리콘 웨이퍼 바닥면에 포토레지스트를 바르고, 구멍이 그려진 포토마스크를 통해 빛을 투영시키면 구멍형상의 패턴을 가진 포토레지스트를 상기 실리콘 웨이퍼 바닥면에 형성하는 단계;극반응성

실리콘 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 바르고, 위에 도면이 그려진 포토마스크를 통해 빛을 투영시켜 도면과 같은 링 형상 패턴을 갖는 패턴의 포토레지스트를 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 형성하는 단계:극반응성 이온 에칭법(DIRE 공정)을 수행하여 링 형상의 구멍을 상기 실리콘 웨이퍼의 두께보다 작은 깊이로 형성한 후 상단의 포토레지스트를 제거하는 단계상기 실리콘 웨이퍼 바닥면에 포토레지스트를 바르고, 구멍이 그려진 포토마스크를 통해 빛을 투영시키면 구멍형상의 패턴을 가진 포토레지스트를 상기 실리콘 웨이퍼 바닥면에 형성하는 단계;극반응성 이온 에칭법(DIRE 공정)을 수행하여 상기 실리콘 웨이퍼를 관통하는 다수의 기공들을 형성하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼 바닥면의 포토레지스트를 제거하는 단계;실리콘 웨이퍼 상면에 열변형 부재를 코팅하는 단계; 상기 코팅된 열변형 부재를 노광과정을 통하여 상기 기공들 주위에 링 형상의 열변형 구조체만을 남기고 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유체의 이동을 온도에 의해 조절할 수 있는 다공질 실리콘 박막제조 방법.