초록 ▼

탄화규소 단결정은 화학양론적인 용액으로부터 성장시키기 위해서는 열역학적으로 다이아몬드 합성과 비슷한 100,000기압 이상의 압력과 3,200℃ 이상의 온도가 필요하기 때문에 주로 승화 방식을 이용한 PVT(Physical Vapor Transport)법, 즉 종자정 성장 승화법(seeded growth sublimation)을 산업적으로 많이 이용하여 단결정 잉곳을 제조하고 있다.본 발명은 대구경 고품질 탄화규소 단결정 잉곳 성장을 위해 사용되는 탄화규소 종자정 부착 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄화규소 단결정 잉곳 성장

탄화규소 단결정은 화학양론적인 용액으로부터 성장시키기 위해서는 열역학적으로 다이아몬드 합성과 비슷한 100,000기압 이상의 압력과 3,200℃ 이상의 온도가 필요하기 때문에 주로 승화 방식을 이용한 PVT(Physical Vapor Transport)법, 즉 종자정 성장 승화법(seeded growth sublimation)을 산업적으로 많이 이용하여 단결정 잉곳을 제조하고 있다.본 발명은 대구경 고품질 탄화규소 단결정 잉곳 성장을 위해 사용되는 탄화규소 종자정 부착 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄화규소 단결정 잉곳 성장을 위해 사용되는 탄화규소 종자정(Seed crystal)을 그라파이트 종자정 홀더(Seed crystal holder)에 접착제(Glue)를 사용하여 부착하는 방법으로 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition)이나 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Transport)에 의해 탄화규소 완충 피막(SiC buffer layer)이 균일하게 형성된 그라파이트 종자정 홀더 표면에 접착제를 사용하여 탄화규소 종자정을 부착하는 것을 특징으로 하는 대구경 고품질 탄화규소 단결정 잉곳 성장을 위한 종자정 부착 방법에 관한 것이다.이를 통해 기존 방법의 문제점이였던 종자정 및 성장된 탄화규소 잉곳이 그라파이트 종자정 홀더(Seed crystal holder) 표면에서 이탈하는 문제를 해결할 수 있으며 또한, 서로 다른 재질을 접착제를 사용하여 붙일 때 접착 계면에서 발생하는 많은 미세한 기공을 방지할 수 있어 대구경 고품질의 탄화규소 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있다.

대표청구항

물리적 기상 증착법(Physical Vapor Doposition), 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), HTCVD법, CVI(Chemical Vapor Infiltration)법, CST(Close Space Technique)법 등에 의해 탄화규소 완충 피막(SiC buffer layer)이 균일하게 형성된 그라파이트 종자정 홀더 표면에 접착제를 사용하여 탄화규소 종자정을 부착하는 대구경 고품질 탄화규소 단결정 잉곳 성장을 위한 종자정 부착 방법

물리적 기상 증착법(Physical Vapor Doposition), 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), HTCVD법, CVI(Chemical Vapor Infiltration)법, CST(Close Space Technique)법 등에 의해 탄화규소 완충 피막(SiC buffer layer)이 균일하게 형성된 그라파이트 종자정 홀더 표면에 접착제를 사용하여 탄화규소 종자정을 부착하는 대구경 고품질 탄화규소 단결정 잉곳 성장을 위한 종자정 부착 방법