초록 ▼

본 발명은 가스를 이송하는 가스관의 외면에 착설되는 면상 발열체의 두께가 1mm정도의 박판상으로 형성되어 상기 가스관에 손쉽고, 용이하게 부착하여 사용할 수 있도록 함은 물론, 상기 금속 박판상에 포토레지스트로 패턴을 형성한 후 상기 패턴 이외의 불필요한 박막을 식각(etching)하여 열선 패턴을 형성하는 간단한 공정에 의해 면상 발열체의 제작이 간편하게 이루어지며, 상기 열선 패턴의 상하측에 일정한 두께로 착설되는 유리섬유가 함침된 테프론 시이트를 통하여 열선을 안전하게 보호하면서 절연작용을 수행하여, 이송되는 가스를 고청정 상

본 발명은 가스를 이송하는 가스관의 외면에 착설되는 면상 발열체의 두께가 1mm정도의 박판상으로 형성되어 상기 가스관에 손쉽고, 용이하게 부착하여 사용할 수 있도록 함은 물론, 상기 금속 박판상에 포토레지스트로 패턴을 형성한 후 상기 패턴 이외의 불필요한 박막을 식각(etching)하여 열선 패턴을 형성하는 간단한 공정에 의해 면상 발열체의 제작이 간편하게 이루어지며, 상기 열선 패턴의 상하측에 일정한 두께로 착설되는 유리섬유가 함침된 테프론 시이트를 통하여 열선을 안전하게 보호하면서 절연작용을 수행하여, 이송되는 가스를 고청정 상태로 정제 시킬 수 있도록한 반도체 설비의 가스관 가스정제기용 면상 발열체 및 그 제조방법에 관한 것이다.그 기술적인 구성은, 가스를 이송하는 가스관의 외면에 착설되는 발열체의 테프론 시이트상에 FEP(Fluorinated Ethylene Propylene copolymer) 필름과 30~100μm 두께의 도전체 금속 박판을 순차로 적층 후, 이를 280~360℃의 온도로 1~2분동안 15~30kg/㎠의 압력으로 핫 프레스작업의 의해 압착하고, 상기 금속 박판상에 포토레지스트(Photoresist)로 패턴을 형성한 후 상기 패턴 이외의 불필요한 박막을 식각(etching)하여 열선 패턴을 형성하며, 상기 열선 패턴의 상측에는 FEP 필름을 개재하여, 100~500μm 두께의 테프론 시이트 또는 유리섬유가 함침된 테프론 시이트를 280~360℃의 온도로 1~2분동안 15~30kg/㎠의 압력으로 핫 프레스작업의 의해 압착하여 면상 발열체를 제작하는 것을 요지로 한다.

대표청구항 ▼

반도체 설비의 가스관 가스정제기용 면상 발열체의 제조방법에 있어서, 가스를 이송하는 가스정제기의 외면에 착설되는 발열체의 테프론 시이트상에 FEP(Fluorinated Ethylene Propylene copolymer) 필름과 30~100μm 두께의 도전체 금속 박판을 순차로 적층 후, 이를 280~360℃의 온도로 1~2분동안 15~30kg/㎠의 압력으로 핫 프레스작업의 의해 압착하고, 상기 금속 박판상에 포토레지스트(Photoresist)로 패턴을 형성한 후 상기 패턴 이외의 불필요한 박막을 식각(etching)하여 열선 패턴

반도체 설비의 가스관 가스정제기용 면상 발열체의 제조방법에 있어서, 가스를 이송하는 가스정제기의 외면에 착설되는 발열체의 테프론 시이트상에 FEP(Fluorinated Ethylene Propylene copolymer) 필름과 30~100μm 두께의 도전체 금속 박판을 순차로 적층 후, 이를 280~360℃의 온도로 1~2분동안 15~30kg/㎠의 압력으로 핫 프레스작업의 의해 압착하고, 상기 금속 박판상에 포토레지스트(Photoresist)로 패턴을 형성한 후 상기 패턴 이외의 불필요한 박막을 식각(etching)하여 열선 패턴을 형성하며, 상기 열선 패턴의 상측에는 재차 FEP 필름을 개재하여, 100~500μm 두께의 테프론 시이트를 280~360℃의 온도로 1~2분동안 15~30kg/㎠의 압력으로 핫 프레스작업의 의해 압착하여 면상 발열체를 제작하는 것을 특징으로 하는 반도체 설비의 가스관 가스정제용 면상 발열체 제조방법.