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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-0024208 (2008-03-17) |
공개번호 | 10-2009-0099140 (2009-09-22) |
등록번호 | 10-0996644-0000 (2010-11-19) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080024208 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-03-17) |
심사진행상태 | 등록결정(심사전치후) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 ZnO TFT의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 ZnO TFT의 제조방법은 최적의 공정 조건하에서 아연 전구체와 산소 전구체를 이용하여 원자층 증착법을 통해 이상적인 조성의 ZnO 반도체막을 형성하는 단계를 포함하며, 또한 원자층 증착법을 이용하여 플라즈마 발생을 포함하는 공정을 사용하지 않는 공정으로 일차 절연막을 형성함에 따라 소자의 성능, 특히 이동도와 신뢰성을 개선시킬 수 있다.
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