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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21, 2008 Nov. 06, 2008년, pp.56 - 56
Choi, Woon-Seop (School of Display Engineering, Hoseo University)
ZnO Oxide TFT with organic dielectric was prepared. ZnO thin film as active channel was prepared by plasma enhanced atomic deposition technique. Organic dielectric was spin coated on the gate metal. The structure of prepared TFT is bottom gate type and top contact structure. The characterization of ...
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