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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-0041345 (2008-05-02) |
등록번호 | 10-0893360-0000 (2009-04-07) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080041345 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-05-02) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 수소화물 기상증착법(HVPE)에 의해 사파이어 기판 상에 질화갈륨(GaN) 단결정 막을 성장함에 있어, 상기 사파이어 기판 상에 3,5족 혼합가스인 HCL과 NH3를 반응시켜 나노 다공성(nano porous) 형태의 수직 질화갈륨 박막(Undoped GaN)을 버퍼층으로 형성하는 질화갈륨 단결정의 성장을 위한 버퍼층의 형성방법에 관한 것으로,상기와 같이 형성된 버퍼층은 사파이어 기판과 질화갈륨 사이의 경계면에 나노 다공성(nano porous) 형태의 버퍼층(Buffer layer)를 형성하여 질화갈륨과 사파이어 기판
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