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질화갈륨 단결정의 성장을 위한 버퍼층의 형성방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)
  • C30B-025/00
  • C30B-029/38
출원번호 10-2008-0041345 (2008-05-02)
등록번호 10-0893360-0000 (2009-04-07)
DOI http://doi.org/10.8080/1020080041345
발명자 / 주소
  • 한경섭 / 경기도 군포시 산본동 **** 백두한양아파트 ***-***
  • 허정 / 경기도 수원시 권선구 세류*동 ***-**
  • 김형준 / 서울특별시 성북구 정릉*동 부광빌라 B-*호
출원인 / 주소
  • (주)그랜드 텍 / 경기도 시흥시 정왕동 시화공단*바 ***
대리인 / 주소
  • 특허법인 엘엔케이 (L&K PATENT FIRM)
  • 서울특별시 강남구 역삼동 ***-** 신원빌딩 *층
심사청구여부 있음 (2008-05-02)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 소멸

초록

본 발명은 수소화물 기상증착법(HVPE)에 의해 사파이어 기판 상에 질화갈륨(GaN) 단결정 막을 성장함에 있어, 상기 사파이어 기판 상에 3,5족 혼합가스인 HCL과 NH3를 반응시켜 나노 다공성(nano porous) 형태의 수직 질화갈륨 박막(Undoped GaN)을 버퍼층으로 형성하는 질화갈륨 단결정의 성장을 위한 버퍼층의 형성방법에 관한 것으로,상기와 같이 형성된 버퍼층은 사파이어 기판과 질화갈륨 사이의 경계면에 나노 다공성(nano porous) 형태의 버퍼층(Buffer layer)를 형성하여 질화갈륨과 사파이어 기판

대표청구항

대표청구항이 없습니다.

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] GaN 제조방법 | 한재용, 최준성, 송인재
  2. [일본] GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION | MOTOKI KENSAKU, OKAHISA TAKUJI, MATSUMOTO NAOKI, MATSUSHIMA MASATO

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  1. [한국] 고출력 고효율 수평형 엘이디칩 제조방법 | 한경섭
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