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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2008-0078101 (2008-08-08) |
| 공개번호 | 10-2010-0019195 (2010-02-18) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020080078101 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2008-08-08) |
| 심사진행상태 | 거절결정(일반) |
| 법적상태 | 거절 |
플래시 메모리 셀 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 플래시 메모리 셀의 제조방법은, 액티브 영역이 한정된 반도체 기판 상부에 터널 산화막을 형성하고, 상기 터널 산화막 상부의 소정 부분에 희생 패턴을 형성한다. 다음, 상기 희생 패턴의 양측벽에 스페이서 형태로 플로팅 게이트 전극을 형성하고 나서 상기 플로팅 게이트 전극 양측의 노출된 상기 액티브 영역에 드레인 영역을 형성한다. 상기 플로팅 게이트 전극이 형성된 반도체 기판 결과물 상부에 게이트간 절연막을 형성한 다음, 상기 희생 패턴 및 상기 플로팅 게이트 전극의 측벽
일정 길이로 연장된 액티브 영역을 가지는 반도체 기판;상기 액티브 영역의 양측 가장자리에 형성되는 드레인 영역, 및 상기 드레인 영역 사이에 상기 드레인 영역과 소정 거리를 두고 이격 배치된 소스 영역; 및상기 하나의 액티브 영역에 형성되는 상기 드레인 영역과 소스 영역 사이에 각각 서로 대칭을 이루도록 배치되는 적층형 게이트 전극을 포함하며,상기 적층형 게이트 전극은 스페이서 형태의 단면을 갖는 플로팅 게이트 전극, 상기 플로팅 게이트 전극의 일측면을 포함하면서 실질적인 스페이서 형태의 단면으로 형성되는 콘트롤 게이트 전극, 및
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