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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-0093995 (2008-09-25) |
공개번호 | 10-2010-0034813 (2010-04-02) |
등록번호 | 10-1107524-0000 (2012-01-12) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080093995 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-09-25) |
심사진행상태 | 등록결정(취소환송후) |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 산화세륨 수분산액의 제조 방법으로 반도체 CMP 공정에 적용에 있어서 가장 큰 문제가 되는 스크래치 발생의 원인이 되며, 반도체 제조공정에서의 수율 저하로 인한 반도체 생산 공정의 경제성 저하를 초래하는 산화세륨 거대 입자의 수를 줄이고 생산 수율을 향상시킬 수 있는 산화세륨계 수분산액의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 연마 후 스크래치를 일으키는 거대 입자의 수를 줄이기 위한 방법으로 산화세륨 분쇄 후 2차 입경 평균에 대한 원심분리 후 2차 입경 평균의 비가 1.2~1.6이며, 최종 2차 입경 평균이 8
산화세륨 분말의 분쇄 및 분산을 동시에 수행하는 단계; 분쇄 및 분산된 산화세륨 연마재를 분급하는 단계; 및 분급하여 얻어진 산화세륨 분산액을 여과하는 단계;를 포함하고, 상기 분급 단계에서 얻어진 산화세륨의 분산액은 분급 후 산화세륨 2차 입경 평균(CS)에 대한 상기 분쇄 및 분산을 동시에 수행한 후 산화세륨 2차 입경 평균(MS)의 비(MS/CS)가 1.2 내지 1.6이 되도록 조절하여, 산화세륨 함량감소율이 20 내지 35%인 것을 특징으로 하는 산화세륨 수분산액의 제조방법.
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