초록 ▼

본 발명은 산화세륨 수분산액의 제조 방법으로 반도체 CMP 공정에 적용에 있어서 가장 큰 문제가 되는 스크래치 발생의 원인이 되며, 반도체 제조공정에서의 수율 저하로 인한 반도체 생산 공정의 경제성 저하를 초래하는 산화세륨 거대 입자의 수를 줄이고 생산 수율을 향상시킬 수 있는 산화세륨계 수분산액의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 연마 후 스크래치를 일으키는 거대 입자의 수를 줄이기 위한 방법으로 산화세륨 분쇄 후 2차 입경 평균에 대한 원심분리 후 2차 입경 평균의 비가 1.2~1.6이며, 최종 2차 입경 평균이 8

본 발명은 산화세륨 수분산액의 제조 방법으로 반도체 CMP 공정에 적용에 있어서 가장 큰 문제가 되는 스크래치 발생의 원인이 되며, 반도체 제조공정에서의 수율 저하로 인한 반도체 생산 공정의 경제성 저하를 초래하는 산화세륨 거대 입자의 수를 줄이고 생산 수율을 향상시킬 수 있는 산화세륨계 수분산액의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 연마 후 스크래치를 일으키는 거대 입자의 수를 줄이기 위한 방법으로 산화세륨 분쇄 후 2차 입경 평균에 대한 원심분리 후 2차 입경 평균의 비가 1.2~1.6이며, 최종 2차 입경 평균이 80~170nm인 산화세륨 수분산액의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화세륨 수분산액의 제조방법은 분쇄와 분급조건을 조절함으로써 스크래치 발생을 억제하고 수율을 향상시킬 수 있으며, 제조 공정이 단순하여 생산성 향상이 크게 개선되는 효과가 있다.

대표청구항

산화세륨 분말의 분쇄 및 분산을 동시에 수행하는 단계; 분쇄 및 분산된 산화세륨 연마재를 분급하는 단계; 및 분급하여 얻어진 산화세륨 분산액을 여과하는 단계;를 포함하고, 상기 분급 단계에서 얻어진 산화세륨의 분산액은 분급 후 산화세륨 2차 입경 평균(CS)에 대한 상기 분쇄 및 분산을 동시에 수행한 후 산화세륨 2차 입경 평균(MS)의 비(MS/CS)가 1.2 내지 1.6이 되도록 조절하여, 산화세륨 함량감소율이 20 내지 35%인 것을 특징으로 하는 산화세륨 수분산액의 제조방법.

산화세륨 분말의 분쇄 및 분산을 동시에 수행하는 단계; 분쇄 및 분산된 산화세륨 연마재를 분급하는 단계; 및 분급하여 얻어진 산화세륨 분산액을 여과하는 단계;를 포함하고, 상기 분급 단계에서 얻어진 산화세륨의 분산액은 분급 후 산화세륨 2차 입경 평균(CS)에 대한 상기 분쇄 및 분산을 동시에 수행한 후 산화세륨 2차 입경 평균(MS)의 비(MS/CS)가 1.2 내지 1.6이 되도록 조절하여, 산화세륨 함량감소율이 20 내지 35%인 것을 특징으로 하는 산화세륨 수분산액의 제조방법.