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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-0118110 (2008-11-26) | |
공개번호 | 10-2010-0059364 (2010-06-04) | |
등록번호 | 10-1249292-0000 (2013-03-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020080118110 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-11-26) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 열전소자, 열전소자 모듈, 및 그 열전 소자의 형성 방법을 제공한다. 상기소자는 하나의 이상의 제1 장벽영역을 포함하는 제1 도전형의 제1 반도체 나노와이어, 하나의 이상의 제2 장벽영역을 포함하는 제2 도전형의 제2 반도체 나노와이어, 제1 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제1 전극, 제2 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제2 전극, 및 제1 반도체 나노와이어의 타단 및 제2 반도체 나노와이어 타단에 연결된 공통 전극을 포함한다. 제1 장벽 영역의 열전도도(thermal conductivity)는 제1 반도체 나노와
적어도 하나의 제1 장벽영역을 포함하는 제1 도전형의 제1 반도체 나노와이어;적어도 하나의 제2 장벽영역을 포함하는 제2 도전형의 제2 반도체 나노와이어;상기 제1 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제1 전극;상기 제2 반도체 나노와이어의 일단에 연결된 제2 전극; 및상기 제1 반도체 나노와이어의 타단 및 상기 제2 반도체 나노와이어 타단에 연결된 공통 전극을 포함하되,상기 제1 장벽 영역의 열전도도(thermal conductivity)는 상기 제1 반도체 나노와이어의 열전도도보다 크고,상기 제2 장벽 영역의 열전도도는 상기 제2
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