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연합인증

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ＺｎＯ계 화합물 반도체 기판의 결함을 감소하는 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-021/324
  • H01L-021/20
출원번호 10-2008-0118138 (2008-11-26)
공개번호 10-2010-0059386 (2010-06-04)
DOI http://doi.org/10.8080/1020080118138
발명자 / 주소
  • 한명수 / 광주 광산구 산월동 부영아파트 ***동 ***호
  • 안수창 / 광주광역시 북구 두암*동 현대아파트 ***동 ****호
  • 박영식 / 광주광역시 북구 용두동 양산타운아파트 ***동 ****호
  • 고항주 / 광주광역시 북구 본촌동 **** 부영아파트 ***-****
출원인 / 주소
  • 한국광기술원 / 광주 북구 월출동 ***-**번지
대리인 / 주소
  • 황이남
심사청구여부 있음 (2008-11-26)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명은 ZnO계 화합물 반도체 기판의 결함을 감소하는 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, ZnO계 화합물 반도체 기판을 800 ~ 1100℃의 온도범위에서, 산소분위기 하에서 열처리하는 것을 특징으로 한다.

대표청구항

ZnO계 화합물 반도체 기판을 800 ~ 1100℃의 온도범위에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 ZnO계 화합물 반도체 기판의 결함 감소 방법.

발명자의 다른 특허 :

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  2. [한국] ｐ형 산화아연(ＺｎＯ) 박막 제조방법 및 이를 이용한산화아연계 광전소자 제조방법 | 최원국, 노영수, 이정욱
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