초록 ▼

본 발명은 휴면성 낭포 (diapauzing cyst)를 포함한, 일정 량의 아르테미아 (Artemia) 낭포를 부화용 배지 내에서, 예정된 항온 배양 기간 내에 상기 낭포의 적어도 일부를 부화시켜 자유 유영성 나우플리이 (nauplii)를 방출시킬 수 있는 조건 하에 항온 배양함으로써, 상기 일정 량의 아르테미아 낭포로부터 출발하여 아르테미아 나우플리이 (Artemia nauplii)를 부화시키는 방법에 관한 것으로서, 이러한 방법에서는 상기 낭포를 하나 이상의 -(OH)C=C(OH)- 구조를 포함하는 화합물과 접촉시켜 적어도 일

본 발명은 휴면성 낭포 (diapauzing cyst)를 포함한, 일정 량의 아르테미아 (Artemia) 낭포를 부화용 배지 내에서, 예정된 항온 배양 기간 내에 상기 낭포의 적어도 일부를 부화시켜 자유 유영성 나우플리이 (nauplii)를 방출시킬 수 있는 조건 하에 항온 배양함으로써, 상기 일정 량의 아르테미아 낭포로부터 출발하여 아르테미아 나우플리이 (Artemia nauplii)를 부화시키는 방법에 관한 것으로서, 이러한 방법에서는 상기 낭포를 하나 이상의 -(OH)C=C(OH)- 구조를 포함하는 화합물과 접촉시켜 적어도 일정 수의 상기 휴면성 낭포가 휴면 상태를 중단하여 상기 예정된 항온 배양 기간 내에 자유 유영성 나우플리이를 생산할 수 있도록 함으로써, 상기 항온 배양된 낭포의 부화율(%)을, 해당 낭포가 상기 화합물과 접촉하지 않은 경우의 완전한 낭포 총 수의 X%에서부터 이들 낭포가 상기 화합물과 접촉한 경우에 X% 보다 높은 부화율로 증가시킨다.

대표청구항 ▼

휴면성 낭포를 포함한, 일정 량의 한 가지 이상의 아르테미아 (Artemia) 종 낭포를 부화용 배지 내에서, 상기 낭포의 적어도 일부를 부화시켜 자유 유영성 나우플리이 (nauplii)를 방출시킬 수 있는 조건 하에 항온 배양함으로써, 상기 일정 량의 한 가지 이상의 아르테미아 종 낭포로부터 출발하여 자유 유영성 아르테미아 나우플리이 (Artemia nauplii)를 생산하는 방법으로서, 상기 낭포를 하나 이상의 -(OH)C=C(OH)- 구조를 포함하는 하나 이상의 화합물과 접촉시켜 적어도 일정 수의 휴면성 낭포가 휴면 상태를 중

휴면성 낭포를 포함한, 일정 량의 한 가지 이상의 아르테미아 (Artemia) 종 낭포를 부화용 배지 내에서, 상기 낭포의 적어도 일부를 부화시켜 자유 유영성 나우플리이 (nauplii)를 방출시킬 수 있는 조건 하에 항온 배양함으로써, 상기 일정 량의 한 가지 이상의 아르테미아 종 낭포로부터 출발하여 자유 유영성 아르테미아 나우플리이 (Artemia nauplii)를 생산하는 방법으로서, 상기 낭포를 하나 이상의 -(OH)C=C(OH)- 구조를 포함하는 하나 이상의 화합물과 접촉시켜 적어도 일정 수의 휴면성 낭포가 휴면 상태를 중단하여 자유 유영성 나우플리이를 생산할 수 있도록 함으로써, 항온 배양된 낭포의 부화율 (%)을 증가시키는 방법.