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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2008-7031229 (2008-12-23) |
공개번호 | 10-2009-0019856 (2009-02-25) |
등록번호 | 10-1096482-0000 (2011-12-14) |
국제출원번호 | PCT/JP2007/060859 (2007-05-29) |
국제공개번호 | WO2007139086 (2007-12-06) |
번역문제출일자 | 2008-12-23 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020087031229 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2008-12-23) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
아크 플라즈마 건을 사용하여 미립자화된 촉매층을 갖는 카본 나노 튜브 성장용 기판. 이 촉매층 상에 열 CVD 법 또는 리모트 플라즈마 CVD 법에 의해 CNT 를 성장시킨다. 아크 플라즈마 건의 쇼트수로 CNT 성장용 촉매의 입경을 제어한다. 이 촉매 입경이 제어된 촉매층 상에 열 CVD 법 또는 리모트 플라즈마 CVD 법에 의해 CNT 를 성장시키고, 그 내경 또는 외경을 제어한다.
아크 플라즈마 건을 사용하여 형성된 촉매층을 표면 상에 갖으며,상기 촉매층은, 상기 촉매층의 형성 후에 그리고 카본 나노 튜브의 성장 전에 추가로 수소 라디칼을 사용하여 활성화된 것인 것을 특징으로 하는 카본 나노 튜브 성장용 기판.
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