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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2009-0004828 (2009-01-21) |
공개번호 | 10-2010-0085508 (2010-07-29) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020090004828 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2009-01-21) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
현재 IT산업의 급격한 발전과 함께 에너지 효율성문제가 대두되면서 전력산업은 그 중요성이 더욱 커지고 있으며, 이러한 전력 산업을 지탱하는 것이 실리콘을 중심으로 한 반도체 기술임은 자명하다. 전력용반도체 소자 중, 특히 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)는 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)과 BJT(Bipolar Junction Transistor)의 장점을 취합한 전력용 스위칭 소자로서, 1980년 B.J Baliga에 의하
IGBT( Insulated Gate Bipolar Transistor )에 있어서,제4도면에 제안한 TIGBT소자는 기존 TIGBT구조(도3)에 P+컬렉터(Collector)(32)를 산화막(Sio2)(33)으로 고립시킴으로서 N-드리프트(drift)(11) 층으로의 정공 주입효율을 극대화하여 기존 TIGBT구조(도3)보다 더 낮은 순방향 전압강하를 특징으로 하는 TIGBT.
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