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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2015-0180396 (2015-12-16) | |
| 등록번호 | 10-1698480-0000 (2017-01-16) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020150180396 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2015-12-16) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명은 고속스위칭회로에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고속스위칭 회로는, 양(+)의 전원전압(+VDD) 단자와 출력단자 사이에 연결되고, 게이트에 제1메인 입력신호가 인가되는 제1메인 FET(Field Effect Transistor)와; 상기 출력단자와 음(-)의 전원전압(-VDD) 단자 사이에 연결되고 게이트에 제2메인 입력신호가 인가되는 제2메인 FET와; 상기 제1메인 FET의 게이트와 상기 출력단자 사이에 연결되고, 게이트에 제1서브 입력신호가 인가되는 제1서브 FET와; 상기 제2메인 FET의 게이트와 상기 음(-)의
고속스위칭 회로에 있어서:양(+)의 전원전압(+VDD) 단자와 출력단자 사이에 연결되고, 게이트에 제1메인 입력신호가 인가되는 제1메인 FET(Field Effect Transistor)와;상기 출력단자와 음(-)의 전원전압(-VDD) 단자 사이에 연결되고 게이트에 제2메인 입력신호가 인가되는 제2메인 FET와;상기 제1메인 FET의 게이트와 상기 출력단자 사이에 연결되고, 게이트에 제1서브 입력신호가 인가되는 제1서브 FET와; 상기 제2메인 FET의 게이트와 상기 음(-)의 전원전압(-VDD) 단자 사이에 연결되고, 게이트에 제
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