초록

본 발명은, 평판형의 제1 전극과, 이 제1 전극에 수직으로 소정 간격을 두고 평행하게 배치되는 복수의 평판형의 제2 전극과, 복수의 제2 전극 각각과 제1 전극 사이에 배치된 허니컴 구조체와, 복수의 제2 전극 각각과 제1 전극의 사이에 전기 펄스를 인가하는 펄스 전원을 구비하는 플라즈마 반응기를 개시한다.

대표청구항 ▼

하나 이상의 허니컴 구조체와, 평판형의 제1 전극과, 이 제1 전극에 수직으로 소정 간격을 두고 평행하게 배치되며 제1 전극과의 사이에 허니컴 구조체가 개재되어 있는 1 세트 이상의 복수의 평판형의 제2 전극과, 제1 전극과 복수의 제2 전극 각각의 사이에 전기 펄스를 인가하는 펄스 전원을 구비하는 플라즈마 반응기. 제1항에 있어서, 상기 허니컴 구조체는 촉매 성분을 담지하는 촉매 담지 허니컴 구조체인 것인 플라즈마 반응기. 제2항에 있어서, 상기 촉매 성분은, 귀금속, 알루미늄, 니켈, 지르코늄, 티탄, 세륨, 코발트, 망간, 아

하나 이상의 허니컴 구조체와, 평판형의 제1 전극과, 이 제1 전극에 수직으로 소정 간격을 두고 평행하게 배치되며 제1 전극과의 사이에 허니컴 구조체가 개재되어 있는 1 세트 이상의 복수의 평판형의 제2 전극과, 제1 전극과 복수의 제2 전극 각각의 사이에 전기 펄스를 인가하는 펄스 전원을 구비하는 플라즈마 반응기. 제1항에 있어서, 상기 허니컴 구조체는 촉매 성분을 담지하는 촉매 담지 허니컴 구조체인 것인 플라즈마 반응기. 제2항에 있어서, 상기 촉매 성분은, 귀금속, 알루미늄, 니켈, 지르코늄, 티탄, 세륨, 코발트, 망간, 아연, 구리, 주석, 철, 니오븀, 마그네슘, 란탄, 사마륨, 비스무스 및 바륨으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 원소인 것인 플라즈마 반응기. 제3항에 있어서, 상기 귀금속은 백금, 로듐, 팔라듐, 루테늄, 인듐, 은 및 금으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 원소인 것인 플라즈마 반응기. 제1항에 있어서, 상기 허니컴 구조체의 셀 밀도는 4 내지 186 셀/㎠인 것인 플라즈마 반응기. 제1항에 있어서, 상기 복수의 제2 전극은 2 이상의 군으로 분할되고, 상기 펄스 전원은 2 이상의 전원 회로를 포함하며, 복수의 제2 전극 각각은 2 이상의 전원 회로 중에서 대응하는 전원 회로에 접속되어, 2 이상의 군에 대응하는 복수의 제2 전극에 상이한 타이밍에 전기 펄스를 인가할 수 있는 것인 플라즈마 반응기. 제1항에 있어서, 상기 펄스 전원으로부터 공급되는 전압 파형은, 피크 전압이 1 kV 이상이고 초당 펄스 수가 1 이상인 펄스 파형, 피크 전압이 1 kV 이상이고 주파수가 1 kHz 이상인 교류 전압 파형, 전압이 1 kV 이상인 직류 전압 파형, 및 이들 파형 중 2 이상을 중첩함으로써 형성되는 전압 파형으로 이루어지는 군에서 선택되는 것인 플라즈마 반응기. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극과 복수의 제2 전극은 각각 절연 세라믹으로 형성된 기체(基體)와, 기체에 매립된 금속 전극을 포함하는 것인 플라즈마 반응기.