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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2009-0026548 (2009-03-27) |
공개번호 | 10-2010-0108078 (2010-10-06) |
등록번호 | 10-1064423-0000 (2011-09-05) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020090026548 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2009-03-27) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 탄소 나노 튜브를 이용한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판과, 게이트 전극과, 게이트 절연층과, 소오스 및 드레인 전극과, 상기 소오스 및 드레인 전극과 접속하여 형성된 활성층을 포함하되, 상기 활성층은 수산화이온 함유 물질에 의해 표면 처리된 탄소 나노 튜브로 이루어지도록 함으로서, 탄소 나노 튜브에 대한 반도체 성질을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
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