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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2009-0033918 (2009-04-18) | |
공개번호 | 10-2010-0115270 (2010-10-27) | |
등록번호 | 10-1617402-0000 (2016-04-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020090033918 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-04-09) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명의 웨이퍼 가공 방법은 웨이퍼를 연마하여 칩 단위로 절단하는 반도체 웨이퍼 가공법에 있어서, 상기 웨이퍼 전면에 구성된 회로를 보호하기 위한 필름을 접착하는 라미네이팅 단계; 상기 웨이퍼의 후면을 소정의 두께만큼 연마하는 제1 박막화 단계; 상기 제1 박막화된 웨이퍼의 후면을 소정의 두께만큼 다시 식각하는 제2 박막화 단계; 상기 연마된 웨이퍼를 부착하여 고정시키기 위한 웨이퍼 링 작업 단계; 및 상기 웨이퍼 링에 연마된 상기 웨이퍼를 장착하여 칩 단위로 절단하는 소잉 단계를 포함한다. 본 발명의 이중 연마 웨이퍼 가공방법
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