초록

본 발명은 폴리실라잔 또는 폴리실라잔 용액의 취급 방법은 외기로부터 차폐되고, 아민, 염기성 물질, 휘발성 유기 화합물, 산성 물질이 제거된 공기를 주된 공기의 공급원으로 하는 제1 공간 내에서 적어도 폴리실라잔의 합성 및 폴리실라잔 용액의 조합(調合)을 포함하는 폴리실라잔 또는 폴리실라잔 용액을 취급하는 것을 포함한다.

대표청구항 ▼

(R, R', 및 R"은 라디칼기를 나타낸다) 결합을 갖는 아민 또는 염기성 물질(암모니아는 제외함)이 Si-N 결합을 갖는 고분자 용액 중에 그 고분자 중량에 대하여 5 ppm 이하이거나, Si-N 결합을 갖는 고분자의 측쇄 또는 관능기 및 수식기에서 폴리실라잔 베이스 중합체 중량에 대하여 5 ppm 이하인 폴리실라잔 용액.함유하는 N-CHz(N은 폴리실라잔 베이스 중합체 중의 원자가 아니고, z는 1 내지 3의 정수) 결합 중 수소의 총수가 SiAx(A는 수소 또는 수소를 포함하고 말단 결합손이 1개인 치환기를 나타내고

(R, R', 및 R"은 라디칼기를 나타낸다) 결합을 갖는 아민 또는 염기성 물질(암모니아는 제외함)이 Si-N 결합을 갖는 고분자 용액 중에 그 고분자 중량에 대하여 5 ppm 이하이거나, Si-N 결합을 갖는 고분자의 측쇄 또는 관능기 및 수식기에서 폴리실라잔 베이스 중합체 중량에 대하여 5 ppm 이하인 폴리실라잔 용액.함유하는 N-CHz(N은 폴리실라잔 베이스 중합체 중의 원자가 아니고, z는 1 내지 3의 정수) 결합 중 수소의 총수가 SiAx(A는 수소 또는 수소를 포함하고 말단 결합손이 1개인 치환기를 나타내고, x는 1 내지 3의 정수)와 NBy(N은 폴리실라잔 베이스 중합체 중의 원자이고, B는 수소 또는 수소를 포함하고 말단 결합손이 1개인 치환기(A와 동일한 것을 포함함)를 나타내며, y는 1 또는 2)의 수소수 및 수소를 포함하고 말단 결합손이 1개인 치환기의 수의 합산수의 5×10-6 이하인 폴리실라잔 또는 폴리실라잔 용액.외기로부터 차폐되고, 또한 아민, 염기성 물질, 휘발성 유기 화합물, 산성 물질이 제거된 공기를 공기의 공급원으로 하는 제1 공간 내에서, 적어도 폴리실라잔의 합성 및 폴리실라잔 용액의 조합(調合)을 포함하는 폴리실라잔 또는 폴리실라잔 용액의 취급 방법에 의해서 얻어진 폴리실라잔 또는 폴리실라잔 용액을 반도체 기판 상에 도포함으로써 폴리실라잔막을 형성하는 것을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법. 제3항에 있어서, 아민, 염기성 물질, 휘발성 유기 화합물, 산성 물질이 제거된 공기가, 외기를 아민, 염기성 물질, 휘발성 유기 화합물, 산성 물질을 흡착하는 흡착제를 통과시킴으로써 형성되는 것을 포함하는 폴리실라잔 또는 폴리실라잔 용액의 취급 방법에 의해서 얻어진 폴리실라잔 또는 폴리실라잔 용액을 반도체 기판 상에 도포함으로써 폴리실라잔막을 형성하는 것을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.제3항에 있어서, 적어도 폴리실라잔의 합성 및 폴리실라잔 용액의 조합을 포함하는 폴리실라잔 또는 폴리실라잔 용액을 취급하는 것이 상기 제1 공간 내에 설치되고 또한 불활성 가스로 채워진 제2 공간 내에서 행해지는 것을 포함하는 폴리실라잔 또는 폴리실라잔 용액의 취급 방법에 의해서 얻어진 폴리실라잔 또는 폴리실라잔 용액을 반도체 기판 상에 도포함으로써 폴리실라잔막을 형성하는 것을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법. 제1항에 기재된 폴리실라잔 용액을 반도체 기판 상에 도포함으로써 폴리실라잔막을 형성하는 것을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.제2항에 기재된 폴리실라잔 또는 폴리실라잔 용액을 반도체 기판 상에 도포함으로써 폴리실라잔막을 형성하는 것을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법.용매 중에서 폴리실라잔을 합성하는 공정,상기 폴리실라잔을 포함하는 폴리실라잔 용액을 조합하는 공정,상기 폴리실라잔 용액을 반도체 기판 상에 도포하는 공정,상기 폴리실라잔 용액에서 상기 용매를 제거하는 공정, 및상기 폴리실라잔 용액을 이산화실리콘막으로 변화시키는 공정을 구비하고,상기 공정 중의 적어도 하나가 외기로부터 차폐되고, 또한 아민, 염기성 물질, 휘발성 유기 화합물, 산성 물질이 제거된 공기를 공기의 공급원으로 하는 제1 공간 내에서 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.제8항에 있어서, 외기로부터 차폐되고, 또한 아민, 염기성 물질, 휘발성 유기 화합물, 산성 물질이 제거된 공기를 공기의 공급원으로 하는 제1 공간 내에서, 상기 폴리실라잔 용액의 개질, 용기에의 충전, 용기의 이체 및 용기의 밀봉 중 적어도 하나의 공정을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.