초록

본 발명은 포토레지스트 제거용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 하드 베이킹, 플라즈마 에칭 및 고온 에싱 후 잔류하는 포토레지스트 및 포토레지스트 잔류물을 막질의 부식 없이 매우 효과적으로 제거한다. 또한, 생산라인 전단의 공정에서 소오스/드레인 영역을 형성하기 위해서 불순물을 도핑하는 이온주입공정 후 경화된 포토레지스트의 박리 공정에도 탁월한 효과를 나타낸다.

대표청구항 ▼

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 제4급 암모늄히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물; (B) 하기 화학식 2으로 표시되는 화합물; (C) 당류, 당알콜류, C3~C10의 히드록시 시클로알칸 화합물, 방향족 히드록시 화합물, 아세틸렌알코올, 카르복실산 화합물 및 카르복실산 화합물의 무수물, 및 트리아졸 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물; (D) 알킬렌글리콜계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기용매; 및(E) 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 제4급 암모늄히드록시드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물; (B) 하기 화학식 2으로 표시되는 화합물; (C) 당류, 당알콜류, C3~C10의 히드록시 시클로알칸 화합물, 방향족 히드록시 화합물, 아세틸렌알코올, 카르복실산 화합물 및 카르복실산 화합물의 무수물, 및 트리아졸 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물; (D) 알킬렌글리콜계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기용매; 및(E) 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 조성물:<화학식 1><화학식 2>상기 화학식 1 및 2에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 아미노기로 치환 또는 비치환된 C1~C10의 직쇄형 또는 분지쇄형 탄화수소이고; R3는 결합 또는 C1~C10의 직쇄형 또는 분지쇄형 탄화수소이고;R4는 C1~C10의 직쇄형 또는 분지쇄형 탄화수소이고;n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 5이고;R5는 수소, 또는 C1~C7의 직쇄형, 분지쇄형 또는 환형의 탄화수소이고; X 및 Y는 각각 독립적으로 수소, 또는 C1~C7의 직쇄형, 분지쇄형 또는 환형의 탄화수소이거나, X와 Y는 결합하여 고리를 형성할 수 있다.