초록 ▼

반도체 장치의 제조 방법은 개구(개구부)(88)에 의한 소정의 패턴이 형성된 반도체 장치 제조용의 기판(W)에 대해, 에칭 처리 또는 성막 처리를 실행하는 방법이다. 반도체 장치의 제조 방법은 적어도 한쪽이 에칭 처리 또는 성막 처리에 관여하는 성분을 포함하는 액체 및 기체를 혼합하여, 상기 반도체 장치 제조용의 기판(W)에 형성된 상기 개구(88)의 치수보다 작은 직경으로 이루어지고, 액체와 기체의 혼합에 의해 대전한 나노 버블(85)을 상기 액체중에 발생시키는 공정과, 상기 나노 버블(85)을 상기 기판(W)의 표면에 인입하기

반도체 장치의 제조 방법은 개구(개구부)(88)에 의한 소정의 패턴이 형성된 반도체 장치 제조용의 기판(W)에 대해, 에칭 처리 또는 성막 처리를 실행하는 방법이다. 반도체 장치의 제조 방법은 적어도 한쪽이 에칭 처리 또는 성막 처리에 관여하는 성분을 포함하는 액체 및 기체를 혼합하여, 상기 반도체 장치 제조용의 기판(W)에 형성된 상기 개구(88)의 치수보다 작은 직경으로 이루어지고, 액체와 기체의 혼합에 의해 대전한 나노 버블(85)을 상기 액체중에 발생시키는 공정과, 상기 나노 버블(85)을 상기 기판(W)의 표면에 인입하기 위해 전계를 형성하는 공정과, 상기 전계를 형성하면서 상기 나노 버블(85)을 포함하는 액체를 상기 기판(W)에 공급하여 처리를 실행하는 공정을 구비하고 있다.

대표청구항 ▼

원형 혹은 홈으로 된 개구에 의한 소정의 패턴이 형성된 반도체 장치 제조용의 기판에 대해, 에칭 처리 또는 성막 처리를 실행하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 적어도 한쪽이 에칭 처리 또는 성막 처리에 관여하는 성분을 포함하는 액체 및 기체를 혼합하여, 상기 반도체 장치 제조용의 기판에 형성된 상기 개구의 직경 혹은 홈 폭보다도 작은 직경으로 이루어지고, 액체와 기체의 혼합에 의해 대전한 나노 버블을 상기 액체중에 발생시키는 공정과, 상기 나노 버블을 상기 기판의 표면에 인입하기 위해 전계를 형성하는 공정과, 상기 전계를 형성

원형 혹은 홈으로 된 개구에 의한 소정의 패턴이 형성된 반도체 장치 제조용의 기판에 대해, 에칭 처리 또는 성막 처리를 실행하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 적어도 한쪽이 에칭 처리 또는 성막 처리에 관여하는 성분을 포함하는 액체 및 기체를 혼합하여, 상기 반도체 장치 제조용의 기판에 형성된 상기 개구의 직경 혹은 홈 폭보다도 작은 직경으로 이루어지고, 액체와 기체의 혼합에 의해 대전한 나노 버블을 상기 액체중에 발생시키는 공정과, 상기 나노 버블을 상기 기판의 표면에 인입하기 위해 전계를 형성하는 공정과, 상기 전계를 형성하면서 상기 나노 버블을 포함하는 액체를 상기 기판에 공급해서 처리를 실행하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.