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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-0027456 (2010-03-26) |
공개번호 | 10-2011-0108132 (2011-10-05) |
등록번호 | 10-1102575-0000 (2011-12-28) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020100027456 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2010-03-26) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 공진 주파수를 이용하여 유전율 변화를 측정할 수 있도록 한 유전율 측정을 위한 프로브와 유전율 측정 시스템 및 방법에 관한 것으로, 측정 대상 매질이 충진되어 전자파 급전시 공진을 형성하는 공진부; 상기 공진부 내로 돌출되어 전자파를 방사하고, 반사파를 수신하는 안테나 로드; 및 상기 안테나 로드로 상기 전자파를 급전하고, 상기 반사파를 전달받는 연결포트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
측정 대상 매질이 충진되어 전자파 급전시 공진을 형성하는 공진부;상기 공진부 내로 돌출되어 전자파를 방사하고, 반사파를 수신하는 안테나 로드; 및상기 안테나 로드로 상기 전자파를 급전하고, 상기 반사파를 전달받는 연결포트를 포함하되,상기 공진부는 상기 전자파 급전시 도미넌트 모드에서의 공진주파수가 측정될 수 있도록 육면체의 도체 벽으로 구성하고, 상기 도체 벽에는 측정 대상 매질의 흐름을 안내하는 유로를 형성하되,상기 유로는 상기 전자파 급전시 전계 형성에 영향을 주지 않도록 전면과 후면의 양단의 일부를 절개하여 구성한 것을 특징으
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