초록 ▼

본 발명은, 반도체 제조공정에서 사용되는 화학 기상 증착장치(chemical vapor deposition apparatus)의 가스 샤워헤드(gas shower head)에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 반도체 공정 중 웨이퍼 상면에 피막을 형성하는 공정에 있어서 반도체 웨이퍼와 반응하는 반응가스가 유입되는 가스유입관과 연결되는 헤드몸체와, 상기 헤드몸체와 연결되고 복수의 배기공(排氣孔)이 마련된 다공판(多孔板)을 포함하여 가스를 균일하게 분사하도록 구성되는 화학 기상 증착장치의 가스 샤워헤드에 있어서, 반도체 웨이퍼와 반응하

본 발명은, 반도체 제조공정에서 사용되는 화학 기상 증착장치(chemical vapor deposition apparatus)의 가스 샤워헤드(gas shower head)에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 반도체 공정 중 웨이퍼 상면에 피막을 형성하는 공정에 있어서 반도체 웨이퍼와 반응하는 반응가스가 유입되는 가스유입관과 연결되는 헤드몸체와, 상기 헤드몸체와 연결되고 복수의 배기공(排氣孔)이 마련된 다공판(多孔板)을 포함하여 가스를 균일하게 분사하도록 구성되는 화학 기상 증착장치의 가스 샤워헤드에 있어서, 반도체 웨이퍼와 반응하는 반응가스가 유입되는 가스유입관에 연결된 헤드몸체의 옆면과 다공판의 하표면 및 배기공의 둘레면에 질소 도핑(Nitrogen-dopping)을 행하고, 그것에 의해, 가스 샤워헤드의 수명뿐만 아니라 샤워헤드의 부식으로 인해 발생하는 파티클(particle)을 억제하여 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있는 화학 기상 증착장치의 가스 샤워헤드가 제공된다.

대표청구항 ▼

화학 기상 증착장치(chemical vapor deposition apparatus)의 내부에 가스를 균일하게 분사하도록 설치되는 화학 기상 증착장치의 가스 샤워헤드(gas shower head)에 있어서,반도체 제조공정 중 반도체 웨이퍼의 상면에 피막을 형성하는 공정에서 상기 반도체 웨이퍼와 반응하는 반응가스가 유입되는 가스유입관에 연결되는 헤드몸체와,상기 헤드몸체에 연결되고, 복수의 배기공(air hole)이 형성된 다공판(perforated plate)을 포함하여 구성되며,상기 헤드몸체는,그 표면에 질소 도핑(Nitrogen-

화학 기상 증착장치(chemical vapor deposition apparatus)의 내부에 가스를 균일하게 분사하도록 설치되는 화학 기상 증착장치의 가스 샤워헤드(gas shower head)에 있어서,반도체 제조공정 중 반도체 웨이퍼의 상면에 피막을 형성하는 공정에서 상기 반도체 웨이퍼와 반응하는 반응가스가 유입되는 가스유입관에 연결되는 헤드몸체와,상기 헤드몸체에 연결되고, 복수의 배기공(air hole)이 형성된 다공판(perforated plate)을 포함하여 구성되며,상기 헤드몸체는,그 표면에 질소 도핑(Nitrogen-dopping)을 수행하도록 구성되어, 상기 가스 샤워헤드의 수명연장 및 상기 가스 샤워헤드의 부식으로 인한 파티클(particle)의 발생을 억제하며, 상기 가스 샤워헤드에 폴리머가 증착되는 것을 최소화하고, 상기 가스 샤워헤드의 알루미늄 벌크에 존재하는 불순물이 공정 중에 출현하여 공정을 방해하는 것을 방지함으로써, 상기 반도체 제조공정의 수율을 향상시킬 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착장치의 가스 샤워헤드.