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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-0053229 (2010-06-07) |
공개번호 | 10-2011-0133703 (2011-12-14) |
등록번호 | 10-1098376-0000 (2011-12-19) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020100053229 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2010-06-07) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 리튬이온 커패시터용 음극 소재 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 음극소재로 사용되는 흑연을 산 처리하는 단계 및 상기 산 처리한 흑연을 습식방법으로 열충격 처리하는 단계를 포함하여 리튬이온의 프리도핑량을 증가시킨 리튬이온 커패시터용 음극 소재를 제조하는 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 음극 소재에 관한 것이다.본 발명의 제조방법에 따르면, 흑연에 산 처리 및 열충격 처리를 실시함으로써 리튬의 프리도핑량을 증가시킬 수 있고, 이로 인해 방전용량의 증가에 큰 영향을 미쳐, 최종적으로는 축전 장치의 고출력 특성, 고
리튬이온 커패시터용 음극소재를 제조하는 방법에 있어서,황산(H2SO4)과 질산(HNO3)을 3 : 1의 부피비로 혼합한 산 용액에 흑연을 5 ~ 10시간 동안 침지시켜서 상온에서 산 처리하는 단계 및 상기 산 처리한 흑연을 700 ~ 1100℃에서 10 ~ 100초 동안 열충격 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이온 커패시터용 음극소재의 제조방법.
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