[특허]리튬이온 커패시터용 음극 소재 제조방법

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리튬이온 커패시터용 음극 소재 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)	H01G-009/042
출원번호	10-2010-0053229 (2010-06-07)
공개번호	10-2011-0133703 (2011-12-14)
등록번호	10-1098376-0000 (2011-12-19)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020100053229
발명자 / 주소	박수진 / 대전광역시 유성구 도룡동 **- 현대아파트 *-* 서민강 / 경기도 이천시 증일동 현대홈타운 *- 김지일 / 강원도 홍천군 홍천읍 연봉리 * I-PARK 아파트 *-*
출원인 / 주소	인하대학교 산학협력단 / 인천 남구 용현동 *** 인하대학교
대리인 / 주소	유완식; 이은철
심사청구여부	있음 (2010-06-07)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록 ▼

본 발명은 리튬이온 커패시터용 음극 소재 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 음극소재로 사용되는 흑연을 산 처리하는 단계 및 상기 산 처리한 흑연을 습식방법으로 열충격 처리하는 단계를 포함하여 리튬이온의 프리도핑량을 증가시킨 리튬이온 커패시터용 음극 소재를 제조하는 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 음극 소재에 관한 것이다.본 발명의 제조방법에 따르면, 흑연에 산 처리 및 열충격 처리를 실시함으로써 리튬의 프리도핑량을 증가시킬 수 있고, 이로 인해 방전용량의 증가에 큰 영향을 미쳐, 최종적으로는 축전 장치의 고출력 특성, 고

대표청구항

리튬이온 커패시터용 음극소재를 제조하는 방법에 있어서,황산(H2SO4)과 질산(HNO3)을 3 : 1의 부피비로 혼합한 산 용액에 흑연을 5 ~ 10시간 동안 침지시켜서 상온에서 산 처리하는 단계 및 상기 산 처리한 흑연을 700 ~ 1100℃에서 10 ~ 100초 동안 열충격 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이온 커패시터용 음극소재의 제조방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

[일본] EXPANDED GRAPHITE PARTICLE, ITS PRODUCTION, LITHIUM SECONDARY CELL, ITS NEGATIVE POLE AND NEGATIVE POLE MATERIAL | TAKEI KOICHI, NISHIDA TATSUYA, ISHII YOSHITO, FUJITA ATSUSHI, YAMADA KAZUO
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[일본] REFORMED GRAPHITE FOR NONAQUEOUS ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY | ASAOKA KENJI
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이 특허를 인용한 특허 (2)

[한국] 팽창흑연에 리튬을 함침시킨 리튬이온커패시터용 팽창흑연음극재 | 지미정, 최병현, 이서환, 홍선기, 구자빈
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[한국] 리튬 이온 커패시터용 음극 활물질, 그 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이온 커패시터 | 조용남, 김영준, 김점수
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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