초록 ▼

본 발명은 탄화규소 세라믹스용 조성물, 탄화규소 세라믹스 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 탄화규소와, 이트륨나이트레이트(yttrium nitrate) 및 그 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나를 구성물질로 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 세라믹스 제조용 조성물과, 이를 이용하여 제조되어 소결밀도, 도핑된 질소량이 높고 체적비저항이 낮은 탄화규소 세라믹스, 그리고 그 제조방법을 제공한다.본 발명의 일 실시예에서는 특히 주원료로서 β상의 탄화규소를 사용하였으며, 상기 이트륨나이트레트(yttrium nitrate)

본 발명은 탄화규소 세라믹스용 조성물, 탄화규소 세라믹스 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 탄화규소와, 이트륨나이트레이트(yttrium nitrate) 및 그 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나를 구성물질로 포함하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 세라믹스 제조용 조성물과, 이를 이용하여 제조되어 소결밀도, 도핑된 질소량이 높고 체적비저항이 낮은 탄화규소 세라믹스, 그리고 그 제조방법을 제공한다.본 발명의 일 실시예에서는 특히 주원료로서 β상의 탄화규소를 사용하였으며, 상기 이트륨나이트레트(yttrium nitrate) 및 이트륨나이트레이트 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나는 소결조제 및 질소원으로서 동시에 작용을 하고, 이로부터 고밀도, 저 저항의 탄화규소 세라믹스를 제조할 수 있다. 본 발명에 의한 고밀도 및 저 저항 탄화규소 세라믹스는 소결밀도가 3.20 ～ 3.60g/cm3, 도핑된 질소량이 300 ～ 2000ppm으로 매우 높은값을 나타내고, 상온에서 체적 비저항이 1×10-4 ～ 9×10-3Ωcm로 낮아 전기전도성이 매우 우수하며, 4K(-269℃) ～ 100K(-173℃) 온도 구간에서 온도가 낮아짐에 따라 체적비저항이 오히려 낮아지는 거동을 나타내는 특징을 갖는다. 본 발명의 탄화규소 세라믹스는 높은 온도안정성을 가지므로 복잡형상 고온구조재료, 반도체 공정장비용 부품, 진공장비용 부품, 내플라즈마용 부품, 반도체 공정용 더미 웨이퍼, 반도체 공정용 히터 소재, 반도체 공정용 히터 플레이트 소재, 플라즈마 식각 챔버 내에서 응용될 수 있으며, 전기전도성을 요구하는 부품인 플라즈마 스크린 (plasma screen), 초점링(focus ring), 엣지링(edge ring), 고온 전극소재, 극저온 전극소재 등으로도 응용 가능하고, 전기 비저항(resistivity)이 매우 낮은 결과 복잡형상으로의 고속 방전 가공이 용이하다.

대표청구항

β-탄화규소와, 이트륨나이트레이트(yttrium nitrate) 및 그 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나를 구성물질로 포함하며, 상기 β-탄화규소는 조성물 전체중량을 100 중량부로 하였을 때, 70.0 ~ 99.8 중량부이며, 상기 이트륨나이트레이트(yttrium nitrate) 및 그 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나는 0.2 ~ 30 중량부인 것을 특징으로 하는 탄화규소 세라믹스 제조용 조성물.

β-탄화규소와, 이트륨나이트레이트(yttrium nitrate) 및 그 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나를 구성물질로 포함하며, 상기 β-탄화규소는 조성물 전체중량을 100 중량부로 하였을 때, 70.0 ~ 99.8 중량부이며, 상기 이트륨나이트레이트(yttrium nitrate) 및 그 화합물 중에서 선택되는 적어도 하나는 0.2 ~ 30 중량부인 것을 특징으로 하는 탄화규소 세라믹스 제조용 조성물.