초록

다중양자우물 구조의 활성영역을 갖는 발광 소자가 개시된다. 이 발광 소자의 활성 영역은 n형 화합물 반도체층측으로부터 p형 화합물 반도체층측으로, 제1 장벽층, 제2 장벽층, 제3 장벽층, 우물층 및 제4 장벽층이 이 순서로 주기적으로 적층된 다중양자우물 구조를 갖는다. 제4 장벽층들은 각각 우물층에 접하는 언도프트층을 포함하고, 제4 장벽층들 중 적어도 하나는 언도프트층 상에 실리콘 도핑층을 포함한다. 제4 장벽층들 내의 실리콘 도핑 위치를 조절함으로써 순방향 전압을 낮추고 광 출력을 향상시킬 수 있다.

대표청구항 ▼

질화갈륨 계열의 n형 화합물 반도체층;질화갈륨 계열의 p형 화합물 반도체층; 및상기 n형 및 p형 화합물 반도체층들 사이에 개재된 활성 영역을 포함하고,상기 활성 영역은, 상기 n형 화합물 반도체층측으로부터 상기 p형 화합물 반도체층측으로, 제1 장벽층, 제2 장벽층, 제3 장벽층, 우물층 및 제4 장벽층이 이 순서로 주기적으로 적층된 다중양자우물 구조를 갖고,상기 제2 장벽층은 상기 제1 장벽층, 제3 장벽층 및 제4 장벽층에 비해 좁은 에너지 밴드갭을 갖고,상기 n형 화합물 반도체층측에 가장 가까운 제1 장벽층 및 제2 장벽층은

질화갈륨 계열의 n형 화합물 반도체층;질화갈륨 계열의 p형 화합물 반도체층; 및상기 n형 및 p형 화합물 반도체층들 사이에 개재된 활성 영역을 포함하고,상기 활성 영역은, 상기 n형 화합물 반도체층측으로부터 상기 p형 화합물 반도체층측으로, 제1 장벽층, 제2 장벽층, 제3 장벽층, 우물층 및 제4 장벽층이 이 순서로 주기적으로 적층된 다중양자우물 구조를 갖고,상기 제2 장벽층은 상기 제1 장벽층, 제3 장벽층 및 제4 장벽층에 비해 좁은 에너지 밴드갭을 갖고,상기 n형 화합물 반도체층측에 가장 가까운 제1 장벽층 및 제2 장벽층은 실리콘 도핑층을 포함하고, 그 외의 제1 장벽층 및 제2 장벽층은 언도프트층이고,상기 제3 장벽층은 모두 언도프층이고,상기 제4 장벽층들은 각각 우물층에 접하는 언도프트층을 포함하고,상기 제4 장벽층들 중 적어도 하나는 상기 언도프층 상에 실리콘 도핑층을 포함하는 발광 소자.