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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2010-0097839 (2010-10-07) |
| 공개번호 | 10-2011-0037917 (2011-04-13) |
| 등록번호 | 10-1239997-0000 (2013-02-27) |
| 우선권정보 | 독일(DE) 102009048436.1 (2009-10-07) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020100097839 |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2010-10-07) |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명은, 적어도 하나의 연삭 공구와 적어도 하나의 반도체 웨이퍼의 한쪽 면을 서로에 대하여 이송하여, 재료를 적어도 하나의 반도체 웨이퍼로부터 제거하며, 가공 작업을 종료하기 위해서 적어도 하나의 연삭 공구와 적어도 하나의 반도체 웨이퍼를 서로 이격시키는 중에 3 × 10-3 N/m2·s 이상 100 × 10-3 N/m2·s 이하의 점도를 갖는 액상 매체를 적어도 하나의 연삭 공구와 적어도 하나의 반도체 웨이퍼 사이에 배치하는 것인 반도체 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 가공 방법으로서,적어도 하나의 연삭 공구와 적어도 하나의 반도체 웨이퍼의 한쪽 면을 서로에 대하여 이송하여, 재료를 적어도 하나의 반도체 웨이퍼로부터 제거하며, 가공 작업을 종료하기 위해서 적어도 하나의 연삭 공구와 적어도 하나의 반도체 웨이퍼를 서로 이격시키는 도중에 3 × 10-3 N/m2·s 이상 100 × 10-3 N/m2·s 이하의 점도를 갖는 액상 매체를 적어도 하나의 연삭 공구와 적어도 하나의 반도체 웨이퍼 사이에 배치하고, 연삭 공정의 끝 무렵에 실리카 졸을 첨가하는 것인 반도체 웨이퍼의 가공 방법.
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