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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2010-0109484 (2010-11-05) |
공개번호 | 10-2012-0048067 (2012-05-15) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020100109484 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2010-11-05) |
심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 반도체 소자용의 금속 범프를 형성하는 기법에 관한 것으로, 이를 위하여, 본 발명은, 플럭스를 코팅하기 전에 금속 범프의 하부 이외의 영역에 있는 범프 하부 금속 물질을 선택 제거하는 종래 방법과는 달리, 플럭스 코팅 공정과 리플로우 공정을 진행한 이후에 금속 범프의 하부 이외의 영역에 있는 범프 하부 금속 물질을 선택 제거함으로써, 플럭스 코팅과 리플로우로 인해 폴리머가 손상되는 것을 효과적으로 방지할 수 있으며, 리플로우 공정 및 세정 공정을 진행한 후 플럭스 잔류물 또는 다른 이물 등이 잔존하더라도 이후에 진행되는
폴리머를 통해 그 상부 일부가 노출되는 칩 패드를 갖는 기판 상에 범프 하부 금속 물질을 형성하는 과정과,상기 칩 패드 상의 범프 하부 금속 물질의 상부 일부에 금속 범프 구조물을 선택 형성하는 과정과,상기 기판의 전면에 플럭스를 코팅하는 과정과,리플로우 공정을 실시하여 상기 금속 범프 구조물을 금속 범프로 전환시키는 과정과,상기 금속 범프 이외의 영역에 있는 상부가 노출된 범프 하부 금속 물질을 제거하는 과정반도체 소자용 금속 범프 형성 방법.
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