초록 ▼

본 발명은 반도체 소자용의 금속 범프를 형성하는 기법에 관한 것으로, 이를 위하여, 본 발명은, 플럭스를 코팅하기 전에 금속 범프의 하부 이외의 영역에 있는 범프 하부 금속 물질을 선택 제거하는 종래 방법과는 달리, 플럭스 코팅 공정과 리플로우 공정을 진행한 이후에 금속 범프의 하부 이외의 영역에 있는 범프 하부 금속 물질을 선택 제거함으로써, 플럭스 코팅과 리플로우로 인해 폴리머가 손상되는 것을 효과적으로 방지할 수 있으며, 리플로우 공정 및 세정 공정을 진행한 후 플럭스 잔류물 또는 다른 이물 등이 잔존하더라도 이후에 진행되는

본 발명은 반도체 소자용의 금속 범프를 형성하는 기법에 관한 것으로, 이를 위하여, 본 발명은, 플럭스를 코팅하기 전에 금속 범프의 하부 이외의 영역에 있는 범프 하부 금속 물질을 선택 제거하는 종래 방법과는 달리, 플럭스 코팅 공정과 리플로우 공정을 진행한 이후에 금속 범프의 하부 이외의 영역에 있는 범프 하부 금속 물질을 선택 제거함으로써, 플럭스 코팅과 리플로우로 인해 폴리머가 손상되는 것을 효과적으로 방지할 수 있으며, 리플로우 공정 및 세정 공정을 진행한 후 플럭스 잔류물 또는 다른 이물 등이 잔존하더라도 이후에 진행되는 범프 하부 금속 물질의 식각 공정시에 이를 동시에 제거할 수 있기 때문에 반도체 소자용 금속 범프의 제품 신뢰도를 더욱 증진시킬 수 있는 것이다.

대표청구항

폴리머를 통해 그 상부 일부가 노출되는 칩 패드를 갖는 기판 상에 범프 하부 금속 물질을 형성하는 과정과,상기 칩 패드 상의 범프 하부 금속 물질의 상부 일부에 금속 범프 구조물을 선택 형성하는 과정과,상기 기판의 전면에 플럭스를 코팅하는 과정과,리플로우 공정을 실시하여 상기 금속 범프 구조물을 금속 범프로 전환시키는 과정과,상기 금속 범프 이외의 영역에 있는 상부가 노출된 범프 하부 금속 물질을 제거하는 과정반도체 소자용 금속 범프 형성 방법.

폴리머를 통해 그 상부 일부가 노출되는 칩 패드를 갖는 기판 상에 범프 하부 금속 물질을 형성하는 과정과,상기 칩 패드 상의 범프 하부 금속 물질의 상부 일부에 금속 범프 구조물을 선택 형성하는 과정과,상기 기판의 전면에 플럭스를 코팅하는 과정과,리플로우 공정을 실시하여 상기 금속 범프 구조물을 금속 범프로 전환시키는 과정과,상기 금속 범프 이외의 영역에 있는 상부가 노출된 범프 하부 금속 물질을 제거하는 과정반도체 소자용 금속 범프 형성 방법.