초록

지르코늄 혹은 하프늄 합금 재질의 부품의 적어도 일부를 표면 가공하는 방법으로서, 합금 표면층을 나노구조화 하여 합금의 두께를 적어도 5㎛가 되게 하는 적어도 하나의 공정을 포함하고 이때 합금의 입자크기는 100nm 이하이며, 상기 나노구조화는 부품 제작시 사전에 거친 마지막 열처리 공정의 온도와 같거나 이보다 낮은 온도에서 행하는 것으로 된 표면 가공법에 대해 기술한다.상기 방식으로 가공된 지르코늄 혹은 하프늄 합금 재질의 부품에 대해서도 기술한다.

대표청구항 ▼

지르코늄 혹은 하프늄 합금 재질의 부품의 적어도 일부를 표면 가공하는 방법으로서, 상기 부품은 제조시 최종 열처리 공정을 거친 것이고, 상기 방법은, 상기 합금이 적어도 5㎛의 두께에 걸쳐 100nm 이하의 입자 크기를 갖도록, 상기 합금의 표면층을 적어도 한번 나노구조화하는 공정을 포함하고, 상기 나노구조화는 상기 최종 열처리 공정의 온도보다 작거나 같은 온도에서 행하고, 상기 방법은 상기 나노구조화된 층의 조성을 변화시키는 처리 공정을 더 포함하고, 상기 나노구조화된 층의 조성을 변화시키는 처리 공정은 상기 나노구조화를 행한 후

지르코늄 혹은 하프늄 합금 재질의 부품의 적어도 일부를 표면 가공하는 방법으로서, 상기 부품은 제조시 최종 열처리 공정을 거친 것이고, 상기 방법은, 상기 합금이 적어도 5㎛의 두께에 걸쳐 100nm 이하의 입자 크기를 갖도록, 상기 합금의 표면층을 적어도 한번 나노구조화하는 공정을 포함하고, 상기 나노구조화는 상기 최종 열처리 공정의 온도보다 작거나 같은 온도에서 행하고, 상기 방법은 상기 나노구조화된 층의 조성을 변화시키는 처리 공정을 더 포함하고, 상기 나노구조화된 층의 조성을 변화시키는 처리 공정은 상기 나노구조화를 행한 후에 또는 상기 나노구조화와 동시에 상기 최종 열처리 공정의 온도보다 작거나 같은 온도에서 수행되고, 상기 나노구조화된 층의 조성을 변화시키는 처리 공정은 상기 나노구조화된 층 내에 화학 원소를 확산시키는 열화학 처리공정이고, 상기 확산되는 화학 원소는 산소를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 가공법.