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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0008412 (2011-01-27) | |
공개번호 | 10-2012-0087000 (2012-08-06) | |
등록번호 | 10-1219171-0000 (2012-12-31) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110008412 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-01-27) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 리튬 2차 전지용 음극재 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 간단한 공정만으로 2차 전지 음극재의 용량을 3배 가량 증가시킬 수 있으며 기존 실리콘 음극재와 달리 사이클링이 우수하고, 기존 탄소 음극재 대비 사이클링 특성이나 고용량 구현이 가능하며, 또한 제조비용도 기존 실리콘 음극재보다 작기 때문에 대량공정 시 매우 유리한 리튬 2차 전지용 음극재 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명에 따른 리튬 2차 전지용 음극재는 실리콘(Si) 나노 입자와 상기 실리콘 나노 입자의 표면에 1층 이상의
리튬 2차 전지용 음극재에 있어서,실리콘(Si) 나노 입자 및 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Ta, Ti, W, U 및 V의 나노 입자 중 적어도 하나의 나노 입자와,상기 나노 입자의 표면에 1층 이상의 전도성 물질이 코팅된 것을 특징으로 하는, 리튬 2차 전지용 음극재.
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