초록 ▼

반도체 기판의 표면 처리 방법은, 레지스트에 덮인 제1 패턴과, 상기 레지스트에 덮여 있지 않은 제2 패턴을 갖는 반도체 기판에 레지스트 비용해성의 제1 약액을 공급하여 상기 제2 패턴에 대한 약액 처리를 행하는 공정과, 상기 제1 약액의 공급 후에, 상기 반도체 기판에 발수화제와 레지스트 용해성의 제2 약액의 혼합액을 공급하여, 적어도 상기 제2 패턴의 표면에 발수성 보호막을 형성함과 함께 상기 레지스트를 박리하는 공정과, 상기 발수성 보호막의 형성 후에 물을 사용하여 상기 반도체 기판을 린스하는 공정과, 린스한 상기 반도체 기판

반도체 기판의 표면 처리 방법은, 레지스트에 덮인 제1 패턴과, 상기 레지스트에 덮여 있지 않은 제2 패턴을 갖는 반도체 기판에 레지스트 비용해성의 제1 약액을 공급하여 상기 제2 패턴에 대한 약액 처리를 행하는 공정과, 상기 제1 약액의 공급 후에, 상기 반도체 기판에 발수화제와 레지스트 용해성의 제2 약액의 혼합액을 공급하여, 적어도 상기 제2 패턴의 표면에 발수성 보호막을 형성함과 함께 상기 레지스트를 박리하는 공정과, 상기 발수성 보호막의 형성 후에 물을 사용하여 상기 반도체 기판을 린스하는 공정과, 린스한 상기 반도체 기판을 건조시키는 공정을 구비한다.

대표청구항

레지스트에 덮인 제1 패턴과, 상기 레지스트에 덮여 있지 않은 제2 패턴을 갖는 반도체 기판에 레지스트 비용해성의 제1 약액을 공급하여 상기 제2 패턴에 대한 약액 처리를 행하고,상기 제1 약액의 공급 후에, 상기 반도체 기판에 발수화제와 레지스트 용해성의 제2 약액의 혼합액을 공급하여, 적어도 상기 제2 패턴의 표면에 발수성 보호막을 형성함과 함께 상기 레지스트를 박리하고,상기 발수성 보호막의 형성 후에 물을 사용하여 상기 반도체 기판을 린스하고,린스한 상기 반도체 기판을 건조시키는 반도체 기판의 표면 처리 방법.

레지스트에 덮인 제1 패턴과, 상기 레지스트에 덮여 있지 않은 제2 패턴을 갖는 반도체 기판에 레지스트 비용해성의 제1 약액을 공급하여 상기 제2 패턴에 대한 약액 처리를 행하고,상기 제1 약액의 공급 후에, 상기 반도체 기판에 발수화제와 레지스트 용해성의 제2 약액의 혼합액을 공급하여, 적어도 상기 제2 패턴의 표면에 발수성 보호막을 형성함과 함께 상기 레지스트를 박리하고,상기 발수성 보호막의 형성 후에 물을 사용하여 상기 반도체 기판을 린스하고,린스한 상기 반도체 기판을 건조시키는 반도체 기판의 표면 처리 방법.