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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0021583 (2011-03-10) |
공개번호 | 10-2012-0103353 (2012-09-19) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110021583 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 저분자 물질의 함량 조절을 통하여 분자량분포가 조절된 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지의 제조방법 및 이로부터 생성된 고분자화 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지에 관한 것으로, 구체적으로는 용매에 대한 선택적인 용해도 차이를 이용하여 저분자 물질의 함량을 감소시켜 분자량분포를 조절하여 작업 효율을 증대시키고, 분자량분포 조절을 통한 고분자화로 내열성 등의 물성이 우수한 효과를 얻을 수 있고, 고분자화시키는 공정을 단순화시켜 설비 비용 등을 감소시킬 수 있다.
비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지를 알코올류 용매와 혼합하여 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지 용액을 제조한 후 이를 정치하는 단계(S1); 상기 S1 단계 후 상층부의 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지 용액은 분리하고 하층부의 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지 용액에 알코올류 용매를 다시 혼합한 후 정치하는 단계(S2); 및상기 S2 단계 후 상층부의 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지 용액은 분리하고 하층부의 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지 용액을 추출하는 단계(S3);를 포함하는 고분자화 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지의 제조방법.
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